Линейные несовершенства

Эти несовершенства называют дислокациями (от английского слова dislocation, что в переводе означает смещение, сдвиг). Их подразделяют на краевые и винтовые.

Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней «лишней» полуплоскости АВ, называемой экстраплоскостъю (рис.8.3, а). Проведем в идеальном кристалле сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдоль какой-либо плоскости на участке ADEF (рис.8.3, б). Как видно, влево сдвинулась только часть кристалла, находящаяся правее плоскости ABCD. При таком сдвиге число рядов атомов в верхней части кристалла на один больше, чем в нижней (рис.8.3, а). Плоскость ABCD (рис.8.3, б) представляет собой в данном случае как бы лишнюю атомную плоскость (экстраплoскoсть), вставленную в верхнюю часть кристалла (АВ, рис.8.3, а). Линия AD (рис.8.3, б), перпендикулярная направлению сдвига, являющаяся краем экстраплoскости, называется краевой или линейной дислокацией, длина которой может достигать многих тысяч межатомных расстояний. Если экстраплoскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают знаком ^, а если в нижней - отрицательной и обозначают Т. Различие между положительной и отрицательной дислокациями условное, переворачивая кристалл, мы превращаем отрицательную дислокацию в положительную.

Дата добавления: 2014-01-14