Диэлектрическая изоляция

Метод диэлектрической изоляции также имеет много вариантов. Рассмотрим метод изоляции элементов диоксидом кремния. На рис. 4 показана последовательность операций при использовании этого метода: окисление монокристаллической пластины кремния (рис. 4, а); фотолитография; вытравливание канавок в кремнии через вскрытые в диоксиде кремния окна - глубина канавок около 20 мкм (рис. 4, б); повторное окисление кремния при высокой температуре или нанесение диоксида кремния другим способом - толщина слоя диоксида около 1 мкм (рис. 4, в); выращивание на слое диоксида кремния поликристаллического кремния толщиной 100...200 мкм путем, например, пиролитического разложения силана (рис. 4,г); сошлифовка или стравливание с противоположной стороны монокристаллического кремния до разделения островков (рис. 4, д).

Метод диэлектрической изоляции позволяет получить хорошую изоляцию как по постоянному, так и по переменному току. Пробивное напряжение для диэлектрической изоляции получается значительно большим по сравнению с пробивным напряжением для изоляции р-п-переходом (выше 800 В).

Основным недостатком этого метода изоляции является его большая стоимость по сравнению с планарно-эпитаксиальным.

Рис.4. Последовательность основных технологических этапов формирования островков монокристаллического кремния на поликристаллической подложке кремния методом диэлектрической изоляции:

а - окисление монокристаллического кремния; б - вытравливание канавок в кремниевой пластине через окна в слое диоксида кремния; в - повторное окисление кремния; г -наращивание поликристаллического кремния; д - сошли-фовка монокристаллического кремния до разделения островков

ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ

В качестве активных элементов интегральных микросхем используют обычно различные транзисторные структуры, сформированные в кристаллах кремния методами планарной технологии Транзисторы интегральных микросхем могут отличаться не только по структуре, но и по принципу действия.

Дата добавления: 2014-01-14