Параметры биполярных транзисторов

Силовые транзисторные модули

Дляуправления силовыми транзисторами требуются значительные токи управления, что не всегда можно реализовать в схемах. Для снижения тока управления (тока базы) используется составной транзистор, который собирается из двух отдельных транзисторов, либо две транзисторные структуры устанавливаются в общий корпус. Такой прибор называется транзисторным модулем. Схема силового транзисторного модуля приведена на рис. 6.26.

При открытии транзистора VT1 током базы I_Б1 через его коллекторную цепь протекает ток базы транзистора VT2, при этом I_К1 = I_Б2. Ток базы транзистора VT1, являющийся током управления такого модуля, меньше тока базы транзистора VT2 (I_Б1 < I_Б2). Резисторы R₁ и R₂ обеспечивают отрицательное смещение на базах транзисторов и их полное запирание при отсутствии положительных сигналов на базах. Диод VD исключает подачу на базу транзистора VT1 отрицательного сигнала из внешней цепи.

Рис. 6.26. Схема силового транзисторного модуля

Структуры транзисторов смонтированы в корпусе электрически изолированно от общего основания, что позволяет несколько модулей устанавливать на общий радиатор (охладитель) независимо от схемы их соединения.

Различают электрические параметры, предельные эксплуатационные параметры и параметры эквивалентных схем (параметры схем замещения).

К электрическим параметрам относятся:

– f_h21(f_a) – предельная частота коэффициента передачи тока транзистора;

– h_21Э(b) – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

– U_{КЭ 0 гр} – граничное напряжение транзистора;

– U_{КЭ нас} – напряжение насыщения ²коллектор - эмиттер²;

– U_{ЭБ нас} – напряжение насыщения ²эмиттер - база²;

– С_К, С_Э – емкости коллекторного и эмиттерного переходов соответственно;

– I_кбо, I_эбо – обратные токи коллектора и эмиттера соответственно.

К предельно-допустимым параметрам относятся:

– U_КБ, U_ЭБ – постоянные напряжения коллектор-база и эмиттер-база соответственно;

– Р_{К макс} – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (определяет нагрузочную способность транзистора);

– Т_п – температура перехода.

Дата добавления: 2014-10-15