Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Дрейф носителей заряда




Процессы электропроводности в полупроводниках

Электропроводность в полупроводнике – это процесс переноса носителей заряда – дырок и электронов.

С точки зрения зонной теории этот процесс может наблюдаться при наличии электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При выполнении этих условий и в отсутствии градиента температуры () перенос носителей заряда может происходить либо под действием электрического поля, либо под действием градиента концентрации.

Дрейфом называется направленное движение носителей заряда под действием поля.

В отсутствии электрического поля свободные электроны совершают хаотические движения внутри кристаллической решетки. Траектория отдельно взятого электрона прямолинейна до тех пор, пока не произойдет очередное его столкновение с атомами кристаллической решетки или с атомами примеси.

Если кристалл полупроводника поместить в электрическое поле, то свободные электроны будут совершать еще и прямолинейное равноускоренное движение в поле. Но такое движение окажется возможным лишь на коротких отрезках пути, в промежутках между двумя последовательными столкновениями, называемыми длиной свободного пробега . После каждого столкновения электрон теряет свою скорость и вынужден снова набирать ее. В результате средняя установившаяся скорость электрона оказывается вполне определенной величиной, пропорциональной напряженности электрического поля,

.

Коэффициент пропорциональности – это подвижность электронов, измеряемая в см2/В·с. При напряженности поля В/cм, подвижность равна скорости.

В результате дрейфа электронов в полупроводнике появляется электронная составляющая плотности дрейфового тока

,

где – средняя скорость дрейфа, – концентрация электронов, – заряд электрона.

Аналогично дырочная составляющая плотности дрейфового тока

,

где – концентрация дырок в объеме кристалла.

Полная плотность дрейфового тока при наличии свободных электронов и дырок равна сумме электронной и дырочной составляющих

.

Поскольку , есть составляющие удельной проводимости полупроводника , то выражение для дрейфового тока принимает вид

.

Это уравнение называют законом Ома для полупроводника. Главной составляющей в формуле удельной проводимости является та, которая связана с основными носителями заряда. Составляющая, связанная с неосновными носителями, обычно несущественна. В собственном полупроводнике обе составляющие равноценны.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-17; Просмотров: 415; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.