КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Питому провідність у твердих діелектриках можна записати у вигляді
= nqu, (2.12) де n – число носіїв в одиниці об'єму, м-3; q – заряд носія, Кл; u – рухливість м2/(Вс). При іонній електропровідності число дисоційованих іонів і їхня рухливість знаходяться в експонентній залежності від температури: nт = n exp [- Wд /(k)], (2.13) uт = umax exp[ – Wпер /(k)], (2.14) де n -загальне число електронів у 1м3; Wд – енергія дисоціації; k -теплова енер-гія; umax гранична рухливість іона; Wпер - енергія переміщення іона. Підставляючи nт і uт у рівняння для питомої провідності (2.12) і об'єд-навши постійні n, umax, і q в один коефіцієнт А, одержимо = А exp (- b/T), (2.15) де b = (Wд + Wпер)/ k З цієї формули випливає, що чим більше значення енергії переміщення й енергії дисоціації, тим значніше змінюється питома провідність при зміні тем-ператури. У зв'язку з тим, що звичайно Wд›› Wпер, температурна залежність питомої провідності визначається в основному зміною концентрації носіїв. При напругах, близьких до значення напруги пробою, у створенні струму поряд з іонами беруть участь і електрони. У речовинах кристалічної будови з іонними ґратками електропровідність зв'язана з валентністю іонів. Кристали з одновалентними іонами мають більшу провідність, ніж кристали з багатовалентними іонами. В анізотропних кристалах питома провідність неоднакова по різних осях кристала. У твердих пористих діелектриках при поглинанні ними вологи питома провідність істотно підвищується, особливо в тих випадках, коли в діелектрику є домішки, легко розчинні у воді. Для зменшення вологовбирання і вологопро-никливості пористих діелектриків їх піддають просоченню. Література [1, с.30 – 43.] Контрольні запитання: 1.Опишіть фізичну сутність процесу електропровідності в діелектриках. 2.Назвіть фактори, що впливають на поверхневу й об'ємну електропровідність. 3.Наведіть визначення питомих об'ємного і поверхневого опорів. 4.Викладіть сутність процесу електропровідності в газах, відзначте його особ-ливості. 5.Опишіть характер електропровідності рідких діелектриків, поясніть її залежність від температури. 6.Перелічіть фактори, що впливають на поверхневу провідність, вкажіть способи її зменшення. 7.Наведіть приклади залежності електропровідності твердих діелектриків від зовнішніх факторів і поясніть їх.
Дата добавления: 2014-11-09; Просмотров: 399; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |