ЛЕКЦИЯ 3: Электроно-дырочный(PN) переход. Прямое и обратное включение

Рабочими элементами многих полупроводниковых приборов являются PN -переходы; PN -переход – это граница между двумя областями ПП, одна из которых имеет электропроводность типа N, а другая типа P (рисунок 1.7)

Рисунок 1.7 - Структура PN - перехода

В зависимости от концентрации ОНЗ в областях PN -переходы подразделяются на симметричные и несимметричные. На практике применяют несимметричные PN -переходы в которых концентрация ОНЗ в одной области значительно больше, чем в другой,

Эмиттер – область с высокой или очень высокой концентрацией ОН (N или P);

База – область с низкой концентрацией ОН.

PN -переход при этом располагается в основном в области с низкой концентрацией ОН, т. е. в области базы.

По площади PN- переходы делятся на:

плоскостные – у которых линейные размеры, определяющие площадь перехода, значительно превышают его толщину;

точечные – у которых эти размеры меньше толщины перехода. Точечные PN -переходы обладают меньшей ёмкостью и поэтому являются высокочастотными. Плоскостные PN-переходы используют в мощных приборах но на низкой частоте.

Дата добавления: 2014-11-16