Маркировка интегральных микросхем

Все выпускаемые ИМС делятся на три группы по конструктивно-технологическим особенностям: каждой группе в системе условных обозначений присваивается своя цифра:

1, 5, 7 – ИМС полупроводниковые (7 – бескорпусные);

2, 4, 6, 8 – ИМС гибридные;

3 – ИМС прочие. К ним относятся пленочные ИМС.

По характеру выполняемых функций в радиоэлектронной аппаратуре ИМС делятся на подгруппы – генераторы, усилители, модуляторы и другие. Подгруппы делятся на виды: усилители – подгруппа, виды усилителей: высокой частоты, низкой частоты и так далее.

Элементную базу аппаратуры составляют серии ИМС – совокупность ИМС, выполняющих различные функции, имеющих единую конструктивно-технологическую базу и предназначенных для совместного применения в аппаратуре.

Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе;

Второй элемент – две или три цифры, означающие порядковый номер разработки данной серии ИМС; Первые два элемента, состоящие из трех-четырех цифр, характеризуют полный номер серии ИМС;

Третий элемент – две буквы, первая из которых характеризует подгруппу, а вторая – вид в этой подгруппе;

Четвертый элемент – порядковый номер разработки ИМС в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по своему функциональному назначению ИМС.

Для микросхем широкого применения в начале маркировки ставится буква К. Если после буквы К ставится буква П или М, то значит, что вся серия имеет пластмассовый или керамический корпус.

Например, К174УН7 – ИМС широкого применения (К), серия 174, полупроводниковая технология (1), подгруппа усилителей (У), вид – низкой частоты, порядковый номер разработки 7.

Выводы. 1. Создание ИМС вызвано необходимостью увеличения надежности, уменьшения габаритных размеров массы, стоимости сложной электронной аппаратуры. 2. ИМС выполняет определенную функцию, имеет высокую плотность размещения элементов.3. Все элементы ИМС рассматриваются как единое целое. схемы. 4. Достоинство гибридных ИМС- простота изготовления, малая трудоемкость и низкая стоимость по сравнению с полупроводниковыми ИМС. 5.Применение МДП-транзисторов в БИС обеспечивает большую степень интеграции за счет меньших размеров транзистора и меньшей площади изоляции.

Коптрольные вопросы:

1.Какими особенностями обладает ИМС?

2.По каким признакам производится классификация ИМС?

3.Назовите все элементы конструкции ИМС.

4.В чем отличие гибридной и пленочной ИМС?

5.Дайте определение базового комплекта БИС.

6.Дайте определение степени интеграции.

7.Какие элементы системы обозначений ИМС составляют номер серии?

8.Какие существуют проблемы повышения степени интеграции?

9.В чем состоят основные особенности больших интегральных схем?

Дата добавления: 2014-11-16