Полупроводниковые диоды

При плотном соприкосновении полупроводников разных типов проводимости на границе раздела со значительным перепадом концентрации носителей зарядов движение зарядов приобретает характер диффузионного движения, в результате которого n-область заряжается положительно, р-область — отрицательно. В пограничном слое возникает контактное электрическое поле Ек, противодействующее дальнейшему переходу электронов и дырок из одной области в другую (рис. 4-3, а). Образовался р- n -переход с пониженной концентрацией основных носителей: электронов — со стороны полупроводника типа п, дырок — со стороны полупроводника типа р.

1.Схематическое обозначение и устройство типового плоскостного

диода

2. Электронно-дырочный р-п- Переход

3. Если к p-n-переходу подключить внешний источник тока, то напряжение указанной на рисунке 4-3, б полярности, называется обратным

4. напряжение, указанной на рисунке 4-3 в, полярности,

называется прямой

5. ВАХ- вольт-амперная характеристика

Дата добавления: 2014-11-08