Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Статические характеристики биполярного транзистора с ОЭ




В активном режиме усилительные показатели

Усилительные свойства биполярных транзисторов

Основные показатели:

1) Коэффициент усиления по току: ;

2) Коэффициент усиления по напряжению: ;

3) Коэффициент усиления по мощности: ;

4) Входное сопротивление .

Схема включения
ОБ Единицы – десятки   До 1000 До 1000
ОЭ Сотни 10…100   До 10000
ОК Десятки тысяч 10…100   До 100

 

На схеме с ОК построен эмиттерный повторитель. Он обладает малым выходным сопротивлением и большим входным .

Он применяется в тех случаях, когда:

1) требуется отделить предыдущую часть схемы от нагрузки, которая имеет небольшое сопротивление ;

2) используется в качестве согласующих (буферных) каскадов: включается между каскадами с высоким выходным и низким входным сопротивлениями.

Статические характеристики описывают связь между входными и выходными токами и напряжениями транзистора. Это ВАХ транзистора.

ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА:

Чем больше UБЭ, тем больше ток базы Iб, т.к. при увеличении прямого напряжения на эмиттерном переходе снижается потенциальный барьер. Преодолеть его может большее число основных носителей заряда эмиттера (дырок) и большее число их сможет рекомбинировать с электронами базы.

 

ВЫХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА (семейство):

В начальный момент характеристики имеют большую крутизну, т.к. при напряжении на коллекторе коллекторный переход включен в прямом направлении и сопротивление мало, т.е. ток коллектора Iк изменяется сильно при малом напряжении UКЭ.

В дальнейшем с ростом напряжения коллекторный переход смещен в обратном направлении и выходное сопротивление велико, вследствие чего ток меняется слабо.

Ограничения по нагрузке:

1) - перегрев открытого эмиттерного перехода;

2) - пробой закрытого коллекторного перехода;

3) - перегрев закрытого коллекторного перехода.

Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми усилительными и ключевыми приборами универсального назначения.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-16; Просмотров: 322; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.