ЗЭ ОЗУ с произвольным доступом

Алфавитно-предметный указатель

Справочные данные

ПЛОТНОСТЬ r И ВЯЗКОСТЬ n ВОДЫ

t, °C	+10	+20	+30	+40	+50
r, кг/м3	999,73	998,23	995,67	992,24	988,07
n, см2/с	0,01306	0,01006	0,00805	0,00659	0,00556

НЕКОТОРЫЕ ПРАКТИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ

Ускорение свободного падения g = 9,80665» 10 м/с2.

Давление атмосферное (на уровне моря) p_атм = 101325 Па» 100000 Па.

Газовая постоянная для воздуха Rг = 287 Дж/кг· K.

Размерности величин в различных системах измерения

Величина	СИ	Перевод в другие единицы
Длина	м	1 м = 100 см = 1000 мм
Площадь	м2	1 м2= 104 см2= 106 мм2
Объём	м3	1 м3= 106 см3 = 1000 л
Масса	кг	1 кг = 1000 г
Сила, вес	Н	10 Н» 1 кгс = 10-3 тс
Плотность	кг/м3	1000 кг/м3 = 1 г/см3
Удельный вес	Н/м3	104 Н/м3 = 1 тс/м3
Вязкость кинематическая	м2/с	1 м2/с = 104 см2/с
Давление	Па = =Н/м2	100000 Па» 1 ат = 1 кгс/см2= =10 м вод.ст. = 760 мм рт.ст.

Аэродинамика 34	Ламинарный режим 19
	Линия напорная 18
Вакуум 9	— пьезометрическая 18
Вязкость динамическая 7, 35
— кинематическая 7, 35, 54	Напор гидродинамический 15
Водоупор 27	— гидростатический 11
	— фильтрационный 28
Гидравлика 6
Гидравлический радиус 14	Плотность 6, 34, 48
Гидродинамика 12	Потери давления общие 44
Гидроизоляция 27	— — линейные 44
Гидростатика 7	— — местные 44
	Потери напора общие 17, 21
Давление атмосферное 8, 54	— — линейные 22
— вакуумметрическое 9	— — местные 23
— весовое 35	Пьезометр 9
— ветровое 48
— внешнее 7, 35	Радиус влияния откачки 32
— динамическое 41	Разность давлений 43
— избыточное 8	— напоров 17
— манометрическое 8	Режимы движения 19, 43
— полное 7, 41
— — приведённое 41	Свободная поверхность 12
— положения точки 39	Смоченный периметр 14
— статическое 35
— — приведённое 39	Турбулентный режим 19
Диаметр эквивалентный 40
	Удельный вес 6, 35
Естественная тяга 45	Уклон геометрический 25
Естественное давление 47	— гидравлический 23
	— пьезометрический 29
Закон Архимеда 11	Уравнение Бернулли 16, 42
— Дарсú 29, 50	— неразрывности 14, 41
Инфильтрация воздуха 50	Фильтрация 27, 50
	Формула Вéйсбаха 21, 44
Коэффициент аэродинамический 48	— Клапейрона 34
— водоотдачи 29, 30	— Шезú 26
— гидравлического сопротивле- ния 21
— — трения 23	Число Рейнольдса 21, 43 — — критическое 21, 43
— изменения ветрового давления по высоте 48
— расхода 24	Шероховатость абсолютная 23
— фильтрации 29, 30	Эпюры давления 10, 37
— шероховатости 26

Сологаев Валерий Иванович

МЕХАНИКА

ЖИДКОСТИ И ГАЗА

Конспекты лекций

Набор, иллюстрации и макет автора

Зав. РИО СибАДИ М.А.Тихонова

Лицензия ЛР № 020907 от 16.08.94

Подписано в печать 28.11.1995 г.

Формат 60х90 1/16. Бумага газетная.

Усл. печ. л. 4,25. Уч.-изд. л. 3,6.

Тираж 300 экземпляров. Заказ № 423

Редакционно-издательский отдел СибАДИ

644099, Россия, Омск, ул. Петра Некрасова, 10

Лаборатория множительной техники СибАДИ

644080, Россия, Омск, проспект Мира, 5

В настоящее время промышленность изготовляет два основных типа запоминающих элементов ОЗУ: статические и динамические.

Статический ЗЭ - это бистабильная схема (схема с двумя устойчивыми состояниями), обычно называемая триггером. В наиболее распространенных БИС ОЗУ, построенных на МОП (металл - окисел - проводник)-технологии, такие схемы выполнены на шести транзисторах. В этих схемах два транзистора играют роль нагрузочных сопротивлений, два - образуют собственно триггер (находятся практически всегда в противоположных состояниях), два - используются для управления выбором ЗЭ и процессом переключения/чтения/записи. Более сложные 8-транзисторные схемы используют еще два транзистора для организации матричной адресации ЗЭ (выборки). Обязательно используется внешний источник питания.

Динамический ЗЭ - схема, запоминающей основой которой является емкость “затвор-исток” МОП-транзистора. Каждый динамический ЗЭ содержит, как минимум, 1 транзистор. С учетом еще двух транзисторов, обеспечивающих выбор элемента и организацию режимов чтения/записи, число транзисторов достигает трех. В результате плотность ЗЭ в динамическом ЗУ больше, чем в статическом.

Наличие заряда в емкости определяет одно логическое состояние, отсутствие заряда - другое. Из-за утечки заряда хранимая информация разрушается, поэтому каждые несколько миллисекунд должна производиться ее регенерация.

Главное достоинство динамических элементов - бо’льшая плотность на кристалле. Кроме того, динамический ЗЭ не потребляет тока - за исключением тех относительно коротких промежутков времени, когда к нему обращаются. В итоге у динамического ЗЭ меньшая стоимость, меньшие габариты, бо’льшая надежность в сравнении со статическими ЗЭ.

Основной недостаток динамических элементов - более сложные схемы управления, организующие, во-первых, регенерацию, и, во-вторых, арбитраж между процессами регенерации и запросами процессора и других устройств МПС к памяти.

Схемы регенерации являются, как правило, внешними по отношению к кристаллам памяти. Они повышают стоимость памяти, поэтому применение динамической памяти малых объемов (менее 4 - 8 кбайт) обычно не оправдано.

Разработаны псевдостатические ЗУ, у которых схемы регенерации реализованы на кристалле, благодаря чему пользователь может рассматривать их как статические.

Предварительное замечание к процедуре регенерации заключается в следующем. Возобновлять заряд надо только в том ЗЭ, где он имеется, постепенно уменьшаясь, в то время как отсутствие заряда - состояние самоподдерживающееся. Тем не менее для ускорения и для упрощения всего процесса регенерации подвергается любой ЗЭ, причем целой группой, не в одиночку. Обычно эта группа - строка при той или иной организации ЗУ (рис. 3.7). Выход каждого ЗЭ этой строки через свой усилитель, формирователь, соединяется со своим же входом, т.е. для этой строки в каждом столбце линия “ЧТ” через усилитель соединяется с линией “ЗП” того же столбца. После такого подключения усилителей выбираются ЗЭ данной строки и осуществляется собственно перезапись (регенерация).

Рис. 3.7. Упрощенная структурная схема регенерации

Количество строк динамического ЗУ и цикл памяти ЗЭ позволяют закончить весь процесс регенерации за несколько десятков микросекунд. Поскольку для большинства БИС динамических ЗУ регенерация должна выполняться через 1 - 2 миллисекунды, то на регенерацию памяти затрачивается не более 1 - 2% времени ее работы.

Однако в процессе регенерации память недоступна для других устройств, и поэтому запрос, например процессора, на запись или чтение может задержаться на несколько десятков микросекунд. Если такой режим нежелателен, то логическая схема регенерации снабжается дополнительными блоками, позволяющими приостановить процесс регенерации на время выполнения запроса процессора или другого устройства, связанного с памятью.

Дата добавления: 2014-12-16