Промышленная

Библиографический список

1. Теплотехнические расчёты металлургических печей / Под ред. А.С.Телегина. – М., Металлургия, 1970.
2. Мастрюков Б.С. Теория, конструкции и расчёты металлургических печей. – М., Металлургия, 1986.
3. Будрин Д.В. и др. Металлургические печи, т.1. Под ред. М.А.Глинкова. – М., Металлургия, 1963.
4. Сеничкин Б.К. Газодинамические расчеты элементов теплоэнергетических систем. – МГТУ, 2002
5. Металлургическая теплотехника / В.А.Кривандин, И.Н.Неведомская, А.В.Егоров и др. Под ред. В.А.Кривандина. М., Металлургия, 1986.
6. Металлургические печи / Под ред. Глинкова М.А. – М.,Металлургия, 1964.
7. Казанцев Е.И. Промышленные печи. Справочное руководство для расчетов и проектирования. – М., Металлургия, 1975.

Содержание:

Утилизация тепла в металлургических цехах

1. Регенеративные теплообменники…………………………1
2. Конструкции регенераторов…………………………………5
3. Регенеративные насадки……………………………………8
4. Расчет теплообменных аппаратов……………………….13
5. Аэродинамический расчет дымового тракта …………..21

5.1 Потери давления при движении жидкости в

каналах и трубах…………………………. …………….21

7.2 Методические указания и расчет дымовой трубы…………………………………………………..26

1. Пример расчета регенератора мартеновской печи……29

6.1 Расчет горения топлива………………………………..30

6.1.1 Расчет горения природного газа……………….30

6.1.2 Расчет горения мазута…………………………..32

6.1.3 Расчет горения смеси топлив ………………….33

6.2 Расчет насадки регенератора…………………………36

6.3 Аэродинамический расчет дымового тракта………..43

6.3.1 Расчет аэродинамического сопротивления дымового тракта…………………………………………………..46

6.3.2 Расчет дымовой трубы……………………………51

Приложение 1………………………………………………………53

Приложение 2………………………………………………………55

Приложение 3………………………………………………………56

Библиографический список………………………………………57

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебное пособие

Казань 2008

УДК 621.38

Составители: асс. Д.Д. Михайлов

доц. А.Н. Миляшов

доц. А.В. Васильев

асс. Р.Ф. Сабитов

асп. И.Р. Хайруллин

Промышленная электроника: Учебное пособие / Д.Д. Михайлов, А.Н. Миляшов, А.В. Васильев, Р.Ф. Сабитов, И.Р. Хайруллин; Казан. гос. технол. ун-т. - Казань, 2008. - 69 с.

Учебное пособие написано в соответствии с действующей программой курса промышленной электроники. Содержит все основные разделы курса. Рассмотрена физика явлений в полупроводниковых приборах и основные принципы построения электронных схем.

Предназначено для студентов всех форм обучения технических и технологических специальностей.

Подготовлено на кафедре Электропривода и электротехники КГТУ.

Табл. 0. Ил. 25. Библиогр.: 9 назв.

Рецензенты: к.т.н., доц. В.П. Зенцов

к.т.н., доц. Т.Х. Мухаметгалеев

© Казанский государственный

технологический университет,

2008 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение. Полупроводниковые приборы…………………..…….4

1. Физика явления p-n ‑ перехода. Диоды………………………...6

2. Полупроводниковые выпрямители………………………..…..11

3. Сглаживающие фильтры……………………………………....26

4. Транзисторы………………………………………………….…31

5. Полупроводниковые усилители……………………………….38

6. Усилители постоянного тока………………………………..…53

7. Электронные генераторы……………………………………....59

Библиографический список………………………………..……..68

ВВЕДЕНИЕ. Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - электронные приборы, принцип действия которых основан на использовании свойств полупроводников.

К полупроводникам принято относить вещества, удельное электрическое сопротивление которых занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками при комнатной температуре лежит в пределах Ом·см. Вещества, удельное сопротивление которых меньше указанного предела, относят к проводникам. Вещества, удельное сопротивление которых больше указанного предела, относят к диэлектрикам.

В основе электрических явлений в полупроводниковых приборах лежат процессы движения свободных носителей электрических зарядов. Т.е. частиц, не связанных с отдельными атомами и способных свободно перемещаться в кристаллической структуре. В полупроводниках свободные носители зарядов могут образовываться в результате разрыва ковалентных ¨ связей и отделения от атомов полупроводника валентных электронов либо в результате ионизации атомов примесей. Процессы образования свободных частиц называются генерацией, а процессы возвращения свободных частиц в связанное состояние ‑ рекомбинацией.

Процесс образования свободных носителей зарядов требует затраты некоторой энергии, необходимой для «освобождения» частиц из связанного состояния. Эта энергия может быть сообщена кристаллу в различной форме: в виде тепла (тепловая генерация), кинетической энергии движущегося тела (ударная генерация), энергии электрического поля (полевая генерация), энергии фотонов при облучении светом.

Рекомбинация частиц сопровождается выделением энергии, которая может быть излучена в виде фотонов (излучательная рекомбинация) или же воспринята кристаллической решеткой в виде фононов (безизлучательная рекомбинация).

В большинстве полупроводниковых приборов используется явление примесной проводимости. В качестве основного кристаллического вещества используют кремний или германий. Атомы кремния и германия четырехвалентны. В узлах кристаллической решетки германия расположено четыре атома. Валентные электроны атомов находятся в ковалентныхсвязях с валентными электронами соседних атомов. Благодаря ковалентным связям, атомы удерживаются в узлах кристаллической решетки. Если в кристаллическую решетку внести примесь пятивалентного вещества (сурьма, мышьяк, фосфор), то атомы примеси займут соответствующие места в узлах кристаллической решетки. Четыре валентных электрона каждого атома примеси войдут в ковалентные связи с соседними атомами германия, а пятые останутся незанятыми, и будут очень слабо связаны с атомами. Именно эти электроны и будут участвовать в проводимости, которая называется электронной. Атомы примеси, дающие избыточные электроны кристаллу основного вещества, называются донорами.

Если ввести в кристалл германия или кремния в качестве примеси трехвалентное вещество, например, бор, алюминий, галлий или индий, то одна из ковалентных связей в каждом атоме примеси окажется незанятой, и на нее может перейти валентный электрон с соседнего атома основного вещества. В следствие этого, в атоме основного вещества образуется недостаток электронов (дырки). Под действием электрического поля дырки будут перемещаться в направлении электрических силовых линий и создадут дырочную проводимость. Атомы трехвалентной примеси называют акцепторами, т.к. они присоединяют к себе валентные электроны основного вещества, образуя отрицательные ионы.

1. ФИЗИКА ЯВЛЕНИЯ P - N –ПЕРЕХОДА. диоды

Дата добавления: 2014-11-29