Полупроводниковые материалы

Полупроводниками принято называть вещества, электропроводность которых обусловлена перемещением электронов, возбужденных внешними энергетическими воздействиями (нагрев, облучение светом, наложение сильного электрического поля и т.д.). При рассмотрении раздела «Элементы зонной теории твердых тел» мы отмечали, что у полупроводников зона проводимости отделена от валентной зоны зоной запрещенных значений энергии. При поглощении валентным электроном кванта энергии большего и равного ширине запрещенной энергетической зоны, электрон переходит в свободную энергетическую зону и получает возможность перемещаться – менять свою энергию. После ухода электрона из валентной зоны в ней остается незанятое место - дырка. Таким образом, при возбуждении атома в нем появляются два носителя заряда противоположных знаков: электрон и дырка. Очевидно, что для того, чтобы электрон покинул валентную зону и перешел в свободную зону нужно повышение его энергии. Чем выше температура полупроводника, тем более вероятна флуктуация энергии и перескок электрона из валентной зоны в свободную.

Обозначим концентрацию электронов n_0i, а концентрацию дырок p_0i. Индекс i (от слова intrinsic – собственный, присущий) у концентрации электронов и дырок означает, что это собственные носители заряда. В результате процессов возбуждения и рекомбинации при любой температуре устанавливается равновесная концентрация носителей заряда: электронов

(5.1)

и дырок

(5.2)

где: n_0i - концентрация электронов, p_0i- концентрация дырок, W -ширина запрещенной зоны. Коэффициент 2 показывает, что на каждом энергетическом уровне могут быть два электрона.

Проводимость полупроводников будет равна:

(5.3)

где: m _п – подвижность электронов, а m _р – подвижность дырок.

Подвижность электронов и подвижность дырок неодинаковы. Хотя по своей сути, перемещение дырки является перемещением электрона, но движение дырки - это перемещение валентного электрона от одного атома к другому. Валентный электрон сильнее взаимодействует с ядрами атомов, чем оторвавшийся от атома свободный электрон. Поэтому подвижность дырок при собственной электропроводности полупроводников ниже, чем подвижность электронов, и собственная проводимость собственных полупроводником носит слабо выраженный электронный характер.

Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники, то есть полупроводники содержащие небольшие количества примесей. Роль примесей могут играть также дефекты кристаллической решетки – вакансии, дислокации, границы зерен, поры, трещины.

Если валентность атома примеси и атомов основного материала отличаются, то атомы примесей будут являться источниками свободных электронов или дырок. Избыток электронов на валентной оболочке атома примеси приведет к появлению дополнительных электронов, а недостаток электронов на валентных электронных оболочках атомов приведет к появлению дырок. Атомы примесей, поставляющих в свободную зону свободные электроны, принято называть донорами, а атомы – поставляющие дырки – акцепторами. Влияние примесей на энергетические зоны полупроводников показано на рис. 52.

Те носители заряда, концентрация которых в данном полупроводниковом материале выше, называют основными, а те, концентрация которых ниже, - неосновными. При наличии в полупроводнике атомов примесей – доноров, основ0ными носителями заряда будут являться электроны, и такие материалы называют полупроводниками n-типа. Полупроводниковый материал, легированный атомами акцепторов, называют полупроводником p-типа. При контакте полупроводников p-типа и n-типа появляются p-n переходы – основа всех полупроводниковых приборов.

Свойства полупроводников проявляют многие материалы. Среди этих материалов встречаются как элементарные полупроводники: кремний, германий, селен и др., так и химические соединения: карбид кремния, сульфиды и селениды различных металлов, арсениды, фосфиды и антимониды, а также окислы металлов.

Дата добавления: 2014-11-29