КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Микросхемы и схемы их включения
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА (СПРАВОЧНИК) Издательство «Радио и связь», 1984 ПРЕДИСЛОВИЕ
Радиоэлектронные устройства находят широкое применение в различных отраслях народного хозяйства. Создание новых радиоэлектронных приборов связано с большим и кропотливым трудом. В процессе разработки аппаратуры много внимания приходится уделять сбору информации и анализу существующих схемных решений. При этом необходимо учитывать, что применение той или иной схемы зависит от условий эксплуатации и прежде всего от климатических условий, согласования с источником сигнала и нагрузочными цепями. Немаловажное значение имеет элементная база, на основе которой разрабатывается аппаратура. В поиске и-выборе схемных решений существенную помощь может оказать систематизированная и обобщенная информация о существующих схемах различных устройств. Несмотря на то, что за последнее время был выпущен ряд работ, в которых отражалась схемотехника различных устройств радиоэлектроники, на сегодняшний день нет работы, охватывающей по возможности все или почти все устройства общего назначения. Настоящая работа предназначена в той или иной степени устранить этот пробел. Наряду с.разработками автора в справочнике приведены схемы, которые были собраны за период, начиная с 1961 г. по настоящее время, из очень многих литературных источников, изданных в СССР и за рубежом. Как показал анализ публикуемых схем, большинство из них, за исключением незначительного количества первоначальных, обладает существенной преемственностью по отношению к предыдущим решениям. В связи с этим в данной работе оказалось затруднительным дать ссылку на источник каждой электрической схемы. Автор выражает искреннюю благодарность авторам.всех использованных в работе схем за их кропотливый труд по расчету и экспериментальному изучению схем. Ввиду справочного характера книги описание схем носит лаконичный характер. В них, как правило, приведены только основные технические характеристики и самые необходимые расчетные соотношения. Тем не менее работа может быть полезной широкому кругу лиц, занимающихся созданием радиоэлектронных устройств, являясь опорной базой для создания более совершенных узлов Отзывы и критические замечания по содержанию книги, а также предложения по усовершенствованию приведенных схем следует направлять по адресу: 101000, Москва, Почтамт, а/я 693 издательство «Радио и связь», Массовая радиобиблиотека. Автор
Глава 1
В настоящее время операционные усилители (ОУ) получили наиболее широкое распространение среди аналоговых интегральных схем. Это обусловлено возможностью реализации на их основе самых различных линейных и нелинейных аналоговых и аналого-цифровых устройств. Различные способы преобразования аналоговых сигналов выдвигают самые разнообразные требования к ОУ. Удовлетворить все эти требования в ОУ одного типа практически невозможно. По этой причине промышленностью выпускаются ОУ нескольких типов, каждый из которых удовлетворяет ограниченному числу.требований. Все вместе они перекрывают широкий диапазон требований. Операционные усилители строятся на основе трех- или двухкас-кадных структурных схем. Трехкаскадная схема содержит каскады входного дифференциального усилителя, усилителя напряжения и усилителя амплитуды сигнала, объединяющего схемы сдвига уровня и формирования выходного сигнала. Выходные эмиттерные повтори-тели, осуществляющие переход к низкоомной нагрузке, в формировании коэффициента усиления- ОУ не участвуют. В двухкаскадных ОУ входной каскад объединяет функции дифференциального усилителя и усилителя напряжения. Большое количество различных типов ОУ, выпускаемых серийно, можно разбить на две большие группы по их элементной базе. Первая из этих групп, в которую входят в основном ОУ первого поколения, характеризуется использованием главным образом транзисторов типа n -р-n и большого количества резисторов, в то время как интегральные ОУ второй группы отличаются применением комплементарных структур (совокупностью транзисторов типов n -р-n и р-n-р) и резким уменьшением количества резисторов. К первой группе относятся трехкаскадные ОУ типа К153УД1, а ко второй — двух-каскадные типа К140УД7. Параметры ОУ второй группы значительно лучше. Так, у ОУ типа К140УД7 более широкий диапазон изменения входного дифференциального напряжения, простая схема компенсации смещения, встроенный МОП-конденсатор емкостью около 30 пФ, обеспечивающий устойчивость ОУ для любой конфигурации и параметров цепи обратной связи (ОС). Кроме того, предусмотрена защита ОУ от коротких замыканий по выходу. Возможности использования современных ОУ можно расширить еще больше, если создать условия для изменения некоторых из его параметров под воздействием внешних управляющих сигналов. Операционные усилители такого типа обычно называют программируемыми. Программируемым ОУ является микросхема К.140УД12. Основные метрологические характеристики ОУ определяются параметрами его входного дифференциального каскада. Простейшая схема этого каскада представлена на рис. 1.1. Вольт-амперную характеристику эмиттерного диода транзистора с достаточной степенью точности можно описать выражением вида Iэ=Iэвоexp UБЭ/Фт. (1) где фт — температурный потенциал (для Т =300 К фт = 26 мВ); IЭБО — обратный ток эмиттера; UБЭ — управляющее переходом база — эмиттер напряжение. Это выражение справедливо при UБЭ >фт. По формуле (1) можно вычислить практически все входные параметры дифференциального каскада. Так, входное дифференциальное сопротивление ОУ равно Rвх.д = 2h11Б, а коэффициент усиления напряжения Ky.u = UK1/UD = UK2/UD, где UD = Ul—U2. (2) Таким образом, коэффициент усиления напряжения практически ра-. вен половине коэффициента усиления каскада с общим эмиттером (ОЭ), т.е. выражение (2) можно привести к виду Kи.и = h21ЕRк/2h11Е. Сюда входит входное сопротивление h11В каскада с общим эмиттером, которое зависит от эмиттерного тока транзистора или от номинала источника тока дифференциального каскада I0. Если коэффициент передачи тока транзистора h21Е>1, то h21Е=h21Ефт/Iэ = 2h21Ефт/I0. Тогда получим Rвх.д = 4h21Ефт/Iо и Kу.и=RкIо/4фт. Эти выражения показывают, что регулировкой источника тока I0 входного дифференциального каскада можно изменять такие параметры ОУ, как коэффициент усиления напряжения и -входное дифференциальное сопротивление. На рис. 1.2 представлены графические зависимости Rвх.д=f(Iо) и Kум=f(I0) для h21Е=100 и Rк=3,5 кОм. Однако эмиттерный ток входного каскада I0 влияет не только на эти параметры, но и на такие не менее важные характеристики, как входной ток ОУ, скорость.нарастания выходного напряжения я потребляемая мощность. Широко распространенной разновидностью,ОУ являются так называемые ОУ с переменной крутизной, наиболее характерным параметром которых является управляемая проводимость. Выходной каскад усилителя такого типа практически представляет собой источник тока. Программируемый источник тока, который используется для питания входного дифференциального каскада и управления параметрами ОУ, реализован по схеме «токового зеркала».
Рис. 1.1 Рис. 1.2
Вместо коллекторных резисторов применяют аналогичную схему. Принципиальная схема усилителя с переменной крутизной представлена на рис, 1.3. Для данной схемы справедливы следующие соотношения: Для суммарного тока дифференциального каскада можно получить Передаточная проводимость при этом- равна Схема токового зеркала, используемая для питания дифференциального каскада и реализованная на транзисторах VT3 и VT4, описывается следующим соотношением: S = I0/I3 = h21E/(h21E+2). Если коэффициент передачи тока транзисторов VT3 и VT4 уменьшается до 20, что вполне реально для малых коллекторных токов, то отношение 5 равно 0,9 вместо 1, т. е. появляется погрешность передачи токов. Для уменьшения этой погрешности обычно применяют более сложные схемы токового зеркала, позволяющие получить значительно меньшую погрешность при равном коэффициенте передачи тока используемых транзисторов. Так, схема, реализованная на транзисторах VT13 — VT15, обеспечивает коэффициент усиления K=0,9 при коэффициенте передачи по току h 21Е = 4 и описывается выражением Если к высокоомному выходному каскаду с переменной крутизной подключить буферный эмиттерный повторитель, то в результате получится регулируемый ОУ.
Рис. 1.3 Рис. 1.4
Примером программируемого ОУ является интегральная микросхема К140УД12. Упрощенная схема этого ОУ приведена на рис. 1.4. Управление входными параметрами ОУ осуществляется регулировкой рабочего тока. Входной каскад ОУ построен по каскодной схеме на комплементарных транзисторах, причем транзисторы типа n -р-n имеют большой коэффициент передачи тока, а у транзисторов типа р-n-р он может изменяться. Тем самым обеспечивается полная симметрия входного каскада. Так как эмиттерные токи транзисторов VT1 и VT2 определяются их базовыми токами, то входное сопротивление ОУ и коэффициент усиления входного каскада также зависят от эмиттерных токов VT1 и VT2, а следовательно, могут регулироваться изменением рабочего тока по входам Si, 52. Входное сопротивление такого ОУ примерно в.2 раза больше, чём у ОУ с простейшим дифференциальным каскадом, вследствие использования каскодной схемы. Кроме высокого входного сопротивления кас-кодный усилитель обладает лучшими частотными характеристиками,,в частности, за счет уменьшения коэффициента пересчета емкостей переходов коллектор — база транзисторов VT1 и VT2 ко входу по сравнению со схемой с общим эмиттером. Эмиттерный повторитель на транзисторе VT7 и схема сдвига уровня на транзисторах VT4 и VT6 предназначены для согласования входного дифференциального каскада и выходного буферного усилителя. Транзисторы VT21 и VT22 устраняют искажения, возникающие в выходном каскаде, построенном на комплементарных транзисторах и работающем в режиме АВ. Транзисторы VT23 и VT24 служат для защиты выходного каскада от короткого замыкания. Для формирования управляющего тока I8 могут использоваться самые различные способы. Чаще всего для этой цели применяют достаточно высокоомный резистор, который подключают к отрицательному полюсу источника питания ипри необходимости заменяют источником тока на биполярном или полевом транзисторе. Помимо коэффициента усиления и входного сопротивления при изменении тока I5 можно регулировать входной ток, токовые шумы и напряжение шумов (ОУ). При заданном внутреннем сопротивлении источника сигнала с помощью регулировки управляющего тока I можно оптимальным образом согласовать шумовые параметры ОУ с характеристиками источника сигнала. При использовании ОУ при минимальном напряжений питания изменением тока управления устанавливается минимальная мощность потребления в режиме покоя.
Таблица 1.1
Примечание: Un — напряжение питания; Iпот — потребляемый ток; Kу и min — минимальный коэффициент усиления; Uсм — напряжение смещения; Iвх — входной ток; ДIвх — разность входных токов; Rвx — входное сопротивление; Uвх cф — максимальное входное синфазное напряжение; Uвых — выходное напряжение; Кос. сф — коэффициент ослабления входного синфазного напряжения; fi — граничная полоса частот; vuвых. — скорость нарастания выходного напряжения; ТК Uca — температурный коэффициент смещения: ТК Iвт — температурный коэффициент входного тока; ТК ДIвх — температурный коэффициент разности входных токов; Un.max/Un.min — пределы изменения питающего напряжения; Kвл. п — коэффициент подавления изменения питающего напряжения.
Основным недостатком программируемого ОУ К140УД12 является относительно невысокая скорость нарастания выходного сигнала, обусловленная применением внутренней цепи коррекции ампли-тудно-частотной характеристики и равная примерно 0,5 В/мкс. Скорость нарастания определяет в данном случае и граничную частоту пропускания ОУ для режима большого сигнала. Для синусоидального напряжения справедливо следующее выражение: wAmах< vu вых, где vUвых — скорость нарастания. Это соотношение определяет условия неискаженной передачи синусоидального сигнала заданной амплитуды Amах и частоты w. Параметры ОУ. Широкое применение ОУ выдвигает самые разнообразные требования к его характеристикам. Их параметры приведены в табл. 1.1, рассмотрим некоторые из них. Коэффициент усиления K у.и определяется отношением изменения выходного напряжения к изменению на входе Kу.и = АUвых/ДUвх. Величина ДUВх = U+ — U-, где U_ — напряжение на инвертирующем, a U+ — на неннвертирующем входах ОУ. В современных ОУ коэффициент Kу.u = 103 — 106. Напряжение смещения UСм определяется как дифференциальное напряжение, которое необходимо подать на вход ОУ, чтобы на его выходе установился нулевой потенциал. Напряжение Uсм для ОУ с биполярными транзисторами на входе, может лежать в пределах 3 — 10 мВ. Для ОУ с полевыми транзисторами на входе напряжение смещения составляет 30 — 100 мВ. Это объясняется в основном большим разбросом напряжения затвор — исток применяемых полевых транзисторов. Входной ток Iв х определяется среднеарифметическими значениями токоз на инвертирующем и неннвертирующем входах ОУ, когда входное напряжение создает на выходе нулевое напряжение. Этот ток для ОУ с биполярными транзисторами на входе лежит з пределах 0,02 — 10 мкА. Для входных каскадов с полевыми транзисторами входные токи равны единицам нанзампер и меньше. Разность входных токов ДIВх=|I+ — I-| измеряется при нулевом выходном напряжении. Эта величина лежит в пределах 20 — 50 % Iвх. Параметр ДIвх характеризует асимметрию входного каскада. Коэффициент ослабления синфазного входного напряжения Ксс.с ф = 20 log Kу.u/Kу.сф — отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазного входного напряжения ОУ. Значение Kос.сф лежит в пределах 60 — 100 дБ. Частота единичного усиления f1 — частота, на которой коэффициент усиления ОУ равен единице. Максимальное значение f1 для ОУ может доходить до нескольких десятков мегагерц. Скорость нарастания выходного напряжения vU вых определяется при подаче на вход максимально допустимого импульсного сигнала прямоугольном формы с минимальным фронтом или спадом. Для ОУ, поставленного в режим повторителя,.этот параметр лежит в диапазоне 0,3 — 50 В/мкс. Для некоторых типов ОУ лараметр РУВЫХ зависит от полярности входного прямоугольного сигнала. Коэффициент влияния нестабильности источника питания K вл.ип для ОУ характеризуется сбалансированностью всех ступеней передачи входного напряжения. Значительный вклад в эту характеристику вносит входной каскад. При изменении положительного или отрицательного напряжения питания на вьТЧоде ОУ возникает напряжение. Отношение приведенного ко входу изменения выходного напряжения к вызывающему его изменению напряжения питания определяет Kвл.ип. Типовое значение Kвл.ип находится в пределах 20 — 200 мкВ/В.
Дата добавления: 2014-11-29; Просмотров: 1907; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |