Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Проводниковые материалы




РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ

 

 

Плотность тока в проводнике с одним типом носителей заряда

где γ - удельная электрическая проводимость, См*м-1; E = U/l - напряжен­ность электрического поля в проводнике длиной l, м, при разности потен­циалов между его концами U, В.

Удельная электрическая проводимость металла

где n - концентрация свободных электронов, м-3; е = 1,6*10-19 Кл – заряд электрона; μ = v/Е - подвижность электронов, м2 /(В*с); v - скорость, приобретаемая электронами в электрическом поле, м/с.

Удельное электрическое сопротивление - это величина, обратная удельной электрической проводимости

В соответствии с классической электронной теорией металлов выра­жение для удельного электрического сопротивления имеет вид

где m0 = 0,91*10-30 кг - масса электрона; 1ср - средняя длина свободного пробега электронов, м; vT - средняя скорость теплового движения электро­нов, м/с, которая определяется из соотношения

где k = 1,38*10-23 Дж/К - постоянная Больцмана, Т - температура, К.

Если атомы в металле ионизированы однократно, то концентрация свободных электронов n будет равна концентрации атомов N и может быть рассчитана по формуле

где d - плотность вещества, кг/м3; М - молярная масса, кг/моль; NA = 6,02*1023 1/моль - постоянная Авогадро.

В соответствии с квантовой теорией удельное электрическое сопро­тивление металлов

где h = 6,63*10-34 Дж*с - постоянная Планка.

Средняя скорость дрейфа за время свободного пробега

где τ0 – время свободного пробега.

Среднюю скорость можно также найти по формулам

В промежутках между столкновениями с узлами кристаллической решетки электрон при воздействии электрического поля движется с ускорением

а = e*E/m0.

Удельная проводимость проводника может быть определена как

g = (e2 * n * l)/(m0 * u),

где u – средняя скорость теплового движения (температуре 300 К соответствует средняя скорость порядка 105 м/с).

Время дрейфа электрона по проводнику t = l/v.

Время пролета при движении электрона без соударений tпр = .

Влияние примесей и структурных дефектов на удельное сопро­тивление. Примеси и структурные дефекты увеличивают удельное сопро­тивление металлов. В соответствии с правилом Маттиссена

ρ = ρт + ρост, Ом*м,

где ρт - удельное электрическое сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки;

ρост = ρпр + ρдеф - остаточное удельное сопротивление, обу­словленное рассеянием электронов на статических дефектах структуры: примесных атомах (ρпр) и собственных дефектах структуры (ρдеф).

Наибо­лее существенный вклад в остаточное сопротивление вносит рассеяние на примесях. При малом содержании примесей удельное сопротивление воз­растает пропорционально концентрации примесных атомов. Кроме приме­сей, некоторый вклад в остаточное сопротивление вносят собственные де­фекты структуры - вакансии, атомы внедрения, дислокации, границы зе­рен. Остаточное сопротивление представляет собой характеристику хими­ческой чистоты и структурного совершенства металла. Для оценки содер­жания примесей измеряют отношение удельного сопротивления металла при комнатной температуре и температуре жидкого гелия: β = ρ3004,2.

Удельное сопротивление металлических сплавов, имеющих струк­туру неупорядоченного твердого раствора, ρост может существенно пре­вышать ρт. Для многих двухкомпонентных сплавов металлов, не принад­лежащих к числу переходных или редкоземельных элементов, зависимость ρост от состава описывается законом Нордгейма

ρост = CXAXB = CXА(1 - XB), Ом*м,

где C - константа, зависящая от природы сплава; XA, XB - атомные доли компонентов в сплаве.

Влияние температуры на сопротивление и длину проводника. В диапа­зоне температур, где зависимость ρ от Т близка к линейной, справедливо выражение

ρ = ρ0[1 + αρ(T – T0)], Ом*м,

где ρ0 - удельное сопротивление в начале температурного диапазона;

- средний температурный коэффициент удельного сопротивления в данном диапазоне температур, К-1;

ρ - удельное сопро­тивление при температуре Т.

Температурные коэффициенты удельного сопротивления ar, сопротивления aR и удлинения al связаны соотношением

ar = aR + al.

Температурный коэффициент сопротивления

aR = (R2 – R1)/[R1 * (T2 – T1)].

Зависимость длины проводника от температуры

l = l0 * [1 + al * (T – T0)],

где l0 – начальная длина проводника при температуре Т0;

l – длина при температуре Т;

αl – температурный коэффициент линейного удлинения.

Теплопроводность металлов. В металлах благодаря высокой кон­центрации свободных электронов преобладает электронная теплопровод­ность. Экспериментальный закон Видемана – Франца - Лоренца устанавливает связь между удельной теплопроводностью λ, Вт*м/К, и удельной электрической проводимостью γ, См/м:

l/g = L0T,

где L0 – число Лоренца.

Количество теплоты Q, выделяющееся в единицу времени в единице объема проводника, по которому протекает ток плотностью J, при напряженности электрического поля E, выражается формулой

Q = J*E = γ*E2, Вт/м-3.

Внутренняя контактная разность потенциалов при соприкосновении металлов А и В

eUk = WFB - WFA,

причем уровни Ферми отсчитываются от дна зоны проводимости.

Связь между концентрацией электронов и энергией Ферми

n = (8p/3) * (2m0/h2)3/2 * (WF)3/2

Разность потенциалов на концах последовательной разнородной цепи

E = (Ан – Ак)/(e*l),

где Ан, Ак – работа выхода электронов из начального и конечного проводников; l – расстояние между ними.

Примечание: если работа выхода выражена в эВ, величина е в знаменателе отсутствует.

Термоэлектродвижущая сила (термоЭДС). В однородном провод­нике при наличии градиента температуры на его концах возникает раз­ность потенциалов. Ее значение, отнесенное к единичной разности темпе­ратур на концах проводника, называют абсолютной удельной термоЭДС. В термоэлектрической цепи, составленной из разнородных проводников (термопаре), относительная удельная термоЭДС представляет собой разность абсолютных удельных термоЭДС составляющих провод­ников

где αТА и αТВ - абсолютные удельные термоЭДС контактирующих метал­лов А и В.

Сопротивление проводников на высоких частотах. На высоких частотах наблюдается неравномерное распределение электрического тока по сечению проводника: плотность тока максимальна на поверхности и убывает по мере проникновения вглубь проводника. Распределение тока по сечению проводника описывается уравнением

где J0 - плотность тока на поверхности;

z - координата по нормали к поверхности в глубь проводника, м;

Δ - глубина проникновения поля в проводник, м.

Плотность тока изменяется по тому же закону, что и напряженность электрического поля E, так как J = γE. Связь глубины проникновения поля с физическими характеристиками вещества определяется выражением

где μ0 = 4π*10-7 Гн/м - магнитная постоянная;

μ - относительная магнит­ная проницаемость вещества;

f - частота, Гц.

Так как центральная часть сечения проводника почти не использует­ся, активное сопротивление провода R~ при прохождении по нему пере­менного тока больше, чем его активное сопротивление R0 при постоянном токе. Коэффициент увеличения сопротивления kR рассчитывается по фор­муле

,

где S0 - площадь поперечного сечения проводника, м2;

Se - эквивалентная площадь сечения проводника, занятая током при воздействии высокочас­тотного поля (для круглого проводника Se = πdΔ, для плоского - Se = bΔ, где d - диаметр круглого проводника, м; b - ширина плоского проводника, м).

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 1234; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.026 сек.