Условные графические обозначения полупроводниковых приборов

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов.

Система обозначений полупроводниковых приборов по ОСТ 11.336.919–81 «Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений», которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент.

Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4. В табл. П.1 приведены обозначения для первого элемента.

Таблица П.1

Исходный материал	Условные обозначения
Германий	Г или 1
Кремний	К или 2
Соединения галлия (например арсенид галлия)	А или 3
Соединения индия (например форсид индия)	И или 4

Второй элемент.

Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (табл. П.2).

Таблица П.2

Подкласс приборов	Условные обозначения
Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные	Д
Транзисторы биполярные	Т
Транзисторы полевые	П
Варикапы	В
Тиристоры диодные	Н
Тиристоры триодные	У
Туннельные диоды	И
Стабилитроны	С
Сверхвысокочастотные диоды	А
Излучающие оптоэлектронные приборы	Л
Оптопары	О

Третий элемент.

Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплуатационные параметры различные. Например, для транзисторов – это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов – максимальное значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение тока в открытом состоянии. В табл. П.3 приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.

Таблица П.3

Назначение прибора	Условные обозначения
Диоды выпрямительные, с прямым током, А:
менее 0,3	1
0,3…10	2
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др.)	3
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс:
более 500	4
150…500	5
30…150	6
5…30	7
1…5	8
с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс	9
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом состоянии (или импусным), А
незапираемые:
менее 0,3 (менее 15)	1
0,3…10 (15…100)	2
более 10 (более 100)	7
запираемые:
менее 0,3 (менее 15)
0,3…10 (15…100)
более 10 (более 100)
Назначение прибора	Условные обозначения
симметричные:
менее 0,3 (менее 15)	5
0,3…10 (15…100)	6
более 10 (более 100)	9
Диоды туннельные и обращенные:
усилительные	1
генераторные	2
переключательные	3
обращенные	4
Варикапы:
подстрочные	1
умножительные (варакторы)	2
Стабилитроны, стабисторы и ограничители,с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10	1
10…100	2
более 100	3
мощностью менее 0,3…5 Вт:
менее 10	4
10…100	5
более 100	6
мощностью менее 5…10 Вт:
менее 10	7
10…100	8
более 100	9
Транзисторы биполярные:
маломощные с рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт:
низкой частоты (граничная частота МГц)	1
средней частоты (граничная частота МГц)	2
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	3
средней мощности (0,3…1,5) Вт:

Назначение прибора	Условные обозначения
низкой частоты (граничная частота МГц)	4
средней частоты (граничная частота МГц)	5
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	6
большой мощности (более 1,5 Вт):
низкой частоты (граничная частота МГц)	7
средней частоты (граничная частота МГц)	8
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	9
Транзисторы полевые:
малой мощности не более 0,3 Вт:
низкой частоты (граничная частота МГц)	1
средней частоты (граничная частота МГц)	2
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	3
средней мощности (0,3…1,5) Вт:
низкой частоты (граничная частота МГц)	4
средней частоты (граничная частота МГц)	5
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	6
большой мощности (более 1,5 Вт):
низкой частоты (граничная частота МГц)	7
средней частоты (граничная частота МГц)	8
высокой и сверхвысокой частот (более МГц)	9
Источники инфракрасного излучения:
излучающие диоды	1
излучающие модули	2
Приборы визуального представления информации:
светоизлучающие диоды	3
знаковые индикаторы	4
знаковое табло	5
шкалы	6
экраны	7
Оптопары:
резисторные	Р
Назначение прибора	Условные обозначения
диодные	Д
тиристорные	У
транзисторные	Т

Четвертый элемент.

Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент.

Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Примеры обозначения полупроводниковых приборов:

2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.

КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.

КТ937А – кремниевый биполярный транзистор, большой мощности, высокочастотной (с граничной частотой более 30 МГц), номер разработки 37, группа А.

КП310А – кремниевый транзистор малой мощности, с граничной частотой более 30 МГц, номер разработки 10, группа А.

За рубежом существует множество разнообразных систем обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее распространены три системы: JEDEC, Pro Electron, JIS.

Система JEDEC принята в США и поддерживается ассоциацией предприятий электронной промышленности (Electronic Industries Alliance (EIA)).

В системе JEDEC полупроводниковые приборы обозначаются следующим образом:

[суффикс].

Первая цифра – цифра, показывающая количество электрических выпрямляющих переходов в полупроводниковом приборе (1 для диодов).

Буква – всегда буква N.

Серийный номер – двух-, трех-, четырехзначное число, отражающее порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA. Никакой дополнительной информации, за исключением, возможно, времени регистрации, этот номер не несет.

Суффикс – отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Он может состоять из одной или нескольких букв.

В системе JEDEC предусмотрена также цветовая маркировка полупроводниковых диодов. Такая маркировка осуществляется цветными полосками различной толщины, наносимыми по окружности цилиндрического корпуса диода.

В системе JEDEC цветовой маркировкой (по стандарту EIA-236-C) кодируются цифры серийного номера прибора (двух-, трех- или четырехзначное число). Первая цифра и буква N опускаются. Цветовое обозначение различных цифр соответствует табл. П.4.

Кодирование осуществляется от катода по следующим правилам:

1. Номера, состоящие из двух цифр, обозначаются одной (первой) черной полосой и двумя (второй и третьей) соответствующими цифрам цветными полосами. Если в обозначении имеется буквенный суффикс, то кодирование осуществляется четвертой полосой в соответствии с табл. 2.2.

2. Номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, соответствующими цифрам. Если в обозначении имеется буквенный суффикс, то кодирование осуществляется четвертой полосой в соответствии с табл. П.4.

Таблица П.4-Цветовая маркировка по системе JEDEC

Цвет	Цифра	Буква
Черный		0	-
Коричневый		1	A
Красный		2	B
Оранжевый		3	C
Желтый		4	D
Зеленый		5	E
Синий (голубой)		6	F
Фиолетовый		7	G
Серый		8	H
Белый		9	J

3. Номера, состоящие из четырех цифр, обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой черной полосой. Если в обозначении имеется буквенный суффикс, то кодирование осуществляется пятой полосой (вместо черной) в соответствии с табл. П.4.

4. Если цвет корпуса совпадает с цветом какой-либо полосы (кроме последней), то данная полоса может не наноситься, а вместо неё оставляют свободное место соответствующей ширины.

5. Начало маркировки отстоит от края прибора на меньшее расстояние, чем конец (последняя полоса) маркировки. Если такое расположение невозможно из-за малого корпуса прибора, то первая полоса маркировки делается двойной ширины. Возможно также, что маркировка вообще не помещается целиком на приборе, в этом случае допускается использование одной полоски любого цвета для отметки вывода катода.

На рис. П.1 приведен пример цветовой маркировки диода по системе JEDEC.

Система Pro Electron распространена в Европе и поддерживается европейской ассоциацией производителей электронных компонентов (European Electronic Component Manufactures Association).

Полупроводниковые приборы в системе Pro Electron обозначаются маркировкой, состоящей из четырех элементов.

Первый элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового материала, из которого он изготовлен:

А – германий;

В – кремний;

С – арсенид галлия;

R – другие полупроводниковые материалы.

Второй элемент – буква, соответствующая типу полупроводникового прибора:

А – маломощные импульсные и универсальные диоды;

В – варикапы;

C – маломощные низкочастотные транзисторы;

D – мощные низкочастотные транзисторы;

E – туннельные диоды;

F – маломощные высокочастотные транзисторы;

G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;

H – магниточувствительные диоды;

K – приборы на основе эффекта Холла;

L – мощные высокочастотные транзисторы;

M – модуляторы и умножители на основе эффекта Холла;

N – оптроны;

P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);

Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);

R – маломощные переключательные приборы (тиристоры и т.п.);

S – маломощные переключательные транзисторы;

T – мощные переключательные приборы;

U – мощные переключательные транзисторы;

X – умножительные диоды (варакторы и т.п.);

Y – выпрямительные диоды, бустеры;

Z – стабилитроны, стабисторы, ограничители.

Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (профессиональной, военной и т.п.). Это обычно буквы: Z, Y, X иW.

Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер полупроводникового прибора.

В системе Pro Electron также могут присутствовать дополнительные элементы. Например, как и в системе JEDEC, суффикс, отражающий разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.

Для некоторых типов полупроводниковых приборов (стабилитроны, мощные тиристоры и др.) может применяться дополнительная классификация. В этом случае к основному обозначению через дефис или дробь добавляется дополнительный код. К примеру, для стабилитронов часто используется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его разбросе (А – 1 %, В – 2 %, С – 5 %, D – 10 %, E – 15 %). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. Для выпрямительных диодов в дополнительном коде указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.

Например, BZY85-C6V8 – кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 85, напряжением стабилизации 6,8 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения на ±5%.

В системе Pro Electron, как и в системе JEDEC, также предусмотрена цветовая маркировка полупроводниковых приборов. Она начинается с двух широких полос. Первой широкой полосе соответствуют первые две буквы обозначения (табл. П.5). Причем что цветовая марка по системе Pro Electron предусмотрена только для маломощных кремниевых и германиевых диодов.

Вторая широкая полоса соответствует третьей букве обозначения прибора (если такая буква в обозначении присутствует).

Таблица П.5 -Цветная маркировка букв по системе Pro Electron

Цвет
Первая широкая полоса
Черный		AA
Красный		BA
Вторая широкая полоса
Белый		Z
Серый		Y
Черный		X
Синий		W
Зеленый		V
Желтый		T
Оранжевый		S

Затем идут тонкие полосы, кодирующие серийный номер прибора, при этом цветовое кодирование цифрового кода такое же, как и в системе JEDEC (см. табл. П.4).

Пример цветовой маркировки Pro Electron приведен на рис. П.2.

Система JIS. Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS-C -7012, принятый ассоциацией EIAJ – Electronic Industries Association of Japan), позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается.

Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандарту JIS-C -7012 состоит из пяти элементов.

Первый элемент.

Первый элемент – цифра, обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. В табл. П.6 приведены обозначения для первого элемента.

Таблица П.6 -Первый элемент в системе JIS-C -7012

Класс приборов	Условные обозначения
Фотодиоды, фототранзисторы
Диоды
Транзисторы
Четырехслойные приборы

Второй элемент.

Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от слова Semiconductor.

Третий элемент.

Третий элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов.

В табл. П.7 приведены буквы, используемые для обозначения подклассов.

Таблица П.7 -Третий элемент в системе JIS-C -7012

Подкласс приборов	Условные обозначения
Транзисторы p-n-p высокочастотные	A
Транзисторы p-n-p низкочастотные	B
Транзисторы n-p-n высокочастотные	C
Транзисторы n-p-n низкочастотные	D
Диоды	E
Тиристоры	F
Диоды Ганна	G
Однопереходные транзисторы	H
Полевые транзисторы с p-каналом	I
Полевые транзисторы с n-каналом	K
Симметричные тиристоры	M
Светоизлучающие диоды	Q
Выпрямительные диоды	R
Малосигнальные диоды	S
Лавинные диоды	T
Диоды с переменной ёмкостью, p-i-n-диоды	V
Стабилитроны	Z

Четвертый элемент.

Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11.

Пятый элемент.

Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).

В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730–73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.

Таблица П.8 -Графические обозначения полупроводниковых приборов

Наименование прибора	Обозначение
Диод выпрямительный
Диод Шоттки
Стабилитрон
Стабилитрон двуханодный
Диод туннельный
Обращенный диод
Варикап

Наименование прибора	Обозначение
Биполярный транзистор p-n-p-типа
Биполярный транзистор n-p-n-типа
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом n-типа
Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа

Наименование прибора	Обозначение
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом р-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа
Диодный тиристор
Диодный симметричный тиристор
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду

Наименование прибора	Обозначение
Триодный симметричный тиристор
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду
Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по катоду
Излучающий диод
Фоторезистор
Фотодиод
Фототранзистор p-n-p-типа

Наименование прибора	Обозначение
Фототиристор
Оптрон диодный
Оптрон тиристорный
Оптрон резисторный
Оптрон транзисторный

Дата добавления: 2014-12-07