Прямая ветвь ВАХ

Ge Si

Теоретически прямой ток зависит от напряжения по экспоненциальному закону. Однако реально это не выполняется по ряду причин. Начальный участок прямой ВАХ для реального диода более пологий, чем идеальная характеристика. Причиной этого является тепловой ток в германиевом диоде и ток рекомбинации в переходе у кремниевых диодов (процессы рекомбинации преобладают над процессами генерации).

Вторая причина заключается в том, что сопротивление базы (омическое) равно:

W – длина базы

S – площадь p-n-перехода

Ранее мы учитывали, что всё внешнее напряжение прикладывается к ЗС. На самом деле при токе, большем 2 мА, весьма значительным оказывается падение напряжения на базе U_б. Поэтому крутой участок ВАХ диода практически линеен. Резкий рост прямого тока у германиевого диода наблюдается при меньшем напряжении, чем у кремниевого.

I

Ge Si

U

Для анализа ВАХ иногда используют не зависимость I(U), a U(I).

Дата добавления: 2014-12-07