Статические характеристики в схеме с общей базой

Статические характеристики БТ

С общим коллектором

С общим эмиттером

В этой схеме эмиттер заземлен, и напряжение рассчитывается относительно потенциала.

Входные величины: ,

Выходные величины: ,

Отсчет напряжения осуществляется от нулевого потенциала вывода коллектора.

Входные величины: ,

Выходные величины: ,

C - конденсатор с большой емкостью и очень малым сопротивлением по переменному току.

Используется четыре семейства характеристик:

1. Зависимость

2. Характеристики обратной связи по напряжению (обратного действия)

3. Семейство характеристик передачи тока (характеристики прямой передачи)

4. Выходные характеристики

1. Зависимость при представляет собой ВАХ диода смещенного в прямом направлении. При увеличении начальный участок несколько спрямляется, но в транзисторе база очень узкая. Объемное сопротивление базы меньше, чем у диодов и падение напряжения становится заметным только при больших токах .

При подаче входная характеристика смещается в сторону меньших значений . В результате резкого уменьшения ширины базы градиент неосновных носителей в базе увеличивается и при неизменном напряжении ток эмиттера несколько увеличивается.

При даже если , поскольку в базе существуют некоторый градиент концентраций неосновных носителей.

2. Зависимость

Ряд почти прямых параллельных линий, идущих в область напряжения почти параллельно оси абсцисс. Увеличение тока Э вызывает пропорциональный рост . При характеристика представляет собой ВАХ диода, смещенного в обратном направлении, при этом равна . Незначительный наклон всех характеристик по отношению к оси абсцисс объясняется уменьшением ширины Б при увеличении .

При значительном увеличении может развиться лавинный пробой, переходящий затем в тепловой. При ток резко уменьшается, так как коллекторный переход открывается, транзистор начинает работать в режиме насыщения и поток дырок из Б в К компенсируется встречным диффузионным потоком дырок из К в Б.

3.

Характеристики представляют собой прямые линии с углом наклона к оси абсцисс меньше 45 градусов, т.к. . При характеристика несколько отклонена к биссектрисе угла, т.е. к 45 градусам. Причина –уменьшение ширины Б и следовательно при =const несколько увеличивается. Характеристики имеют вид прямых, значит не зависит от .

4.

Эти характеристики отображают сравнения и на величину тока . Из этих характеристик видно, что оказывает незначительное влияние на этот ток. Влияние осуществляется только за счет изменения ширины Б и отображается незначительным наклоном характеристики к оси абсцисс, т.к. при увеличении модуля и при напряжения уменьшается. оказывает значительное влияние на ток, поскольку оно изменяет величину потенциального барьера в эмиттерном переходе. Увеличение расстояния между линиями при одинаковом возрастании происходит в соответствии с законом роста от (по экспоненте).

Дата добавления: 2014-12-07