Условные графические изображения транзисторов

Ниже приведено условное графическое обозначение биполярных, полевых и спешиал транзисторов

Рис. 1 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры n-p-n

На рисунке буква d означает диаметр в мм. 1/3d и 2/3d соответственно, треть и две трети от диаметра.

Рис. 2 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p

Рис. 3 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

Рис. 4 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

Рис. 5 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа

Рис. 6 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа

Рис. 7 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа

Рис. 8 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа

Рис. 9 - Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки)

Рис. 10 - Обозначение многоэмиттерного транзистора

Примечание: транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике. Это так, для общего познания.

Рис. 11 - Условное графическое обозначение фототранзистора

Дата добавления: 2014-12-23