Литография

Отжиг в атмосфере кислорода.

Быстрый отжиг.

Имплантированные слои могут быть подвергнуты лазерному отжигу с плотностью энергии в диапазоне 1-100 Дж/см². Вследствие короткого времени нагрева имплантированные слои могут быть термообработаны без заметной диффузии примеси. Имплантированные аморфные слои толщиной 100 нм перекристаллизуются в течение нескольких секунд при Т= 800 °С по механизму твердофазной эпитаксии.
Процесс быстрого отжига относиться к категориям чистых процессов, и загрязнения от элементов конструкции оборудования не создают серьезной проблемы. Лазерная энергия может быть локализована на отдельной части кристалла ИС, так что некоторые р-n переходы схемы могут размываться во время отжига за счет диффузии в большей степени, тогда как другие не претерпевают изменений.

Значительное преимущество метода то, что после расплавления и кристаллизации аморфных слоев по методу жидкофазной эпитаксии в них отсутствуют линейные дефекты.
С использованием технологии лазерного отжига создают биполярные и МОП-транзисторы, кремниевые солнечные батареи.

Процессы отжига, в результате которых все имплантированные ионы занимают электрически активные положения в узлах кристаллической решетки, обычно приводят к возникновению микродефектов. Эти дефекты называют вторичными дефектами. Любые внешние микродефекты развиваются в большие дислокации и дефекты упаковки. Эти дефекты, называемые третичными дефектами, имеют достаточно большие размеры.

Оптическая литография

• Методы оптической литографии
• Фоторезисты
• Использование и проблемы оптической литографии

Электронно-лучевая литография

• Общая характеристика
• Проекционная литография
• Лучевые сканирующие системы
• Эффекты близости при литографии

Рентгеновская литография

• Общее описание рентгеновской литографии
• Принципиальная схема установки
• Резисты для рентгеновской литографии
• Шаблоны для рентгеновской литографии

Оптическая литография

Дата добавления: 2014-12-27