Рассмотрим основные технологические этапы производства n-МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами

Основы технологии производства n-МОП СБИС

Недостатки метода

Преимущества метода

• низкий импеданс изготавливаемых приборов,
• высокая скорость формирования пленок (1 мкм/мин),
• возможность одновременной обработки большого числа пластин (использование планарных держателей подложек),
• относительно малый поток проникающего излучения (за счет меньшей, чем при ионном распылении величины напряженности электрического поля).

• внедрение аргона в пленку,
• наличие проникающего излучения.

Технологии изготовления
СБИС

• n-МОП СБИС технология
• КМОП СБИС технология
• Технология производства биполярных СБИС

Транзистор на основе структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МОП) является одним из наиболее широко используемых элементов СБИС. Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке.

Принципиальная схема вентиля (инвертора) приведена на рисунке.

Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения (нормально закрытых) и одного транзистора, работающего в режиме обеднения (нормально открытый). Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор третьего транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора.

Нормально открытый транзистор служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение (логический нуль) только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т.е. на их затворы подан высокий потенциал - логическая единица.

Дата добавления: 2014-12-27