Динамические ОЗУ

Функционирование динамического ОЗУ (рисунок 9.2) усложняется из-за необходимости периодическое регенерации информации.

Рисунок 9.2

В типичном динамическом ОЗУ имеются следующие сигнальные линии:

- адресная шина, количество адресных линий в которой, как и в случае статического ОЗУ, зависит от объёма, памяти;

- шина ввода данных, число линий, в которой определяется длиной слов хранимой в ОЗУ информации. Например, в ОЗУ емкостью 4096 х 8 имеется 4096 адресов ячеек, в каждом из которых хранятся по 8 бит, и шина ввода состоит из 8 линий;

- шина, вывода данных, на которую поступают сигналы, соответствующие отдельным битам считываемой из ОЗУ информации;

- число линий вывода также зависит от длины слова, хранимого в памяти;

- линия предварительной зарядки, на которую перед считыванием информации с шины вывода подается сигнал для того, чтобы зарядить выходные емкости. Подача этого сигнала должна быть синхронизирована импульсом, поступающим на линию выбора кристалла;

- линия считывание/запись, при помощи которой задается нужный режим работы ОЗУ. В случае отсутствия сигнала на этой линии ОЗУ постоянно находится в режиме "считывание";

- линия выбора, кристалла используется для управления входом и выходом ОЗУ. Для выполнения операций по записи или считыванию информации на эту линию подается сигнал, синхронизированный с импульсом, поступающий на линию предварительной зарядки.

При считывании слова из динамического ОЗУ выполняются следующие действия:

1) адрес слова, которое необходимо считать, поступает на шину адреса, где сохраняется в течение определенного промежутка времени;

2) на линию предварительной зарядки поступает сигнал;

3) линия считывание/запись переводится в состояние «считывание»;

4) активируется линии отпирания кристалла;

5) на шину вывода данных подается искомое информационное слово.

При записи информационного олова в динамическое ОЗУ выполняется последовательность операций:

1) адрес ячейки памяти, в которую необходимо записать информационное слово, поступает на адресную шину, где сохраняется в течение определенного промежутка времени;

2) на линию предварительной зарядки подается сигнал;

3) активируется линия выбора кристалла;

4) линия считывания/запись переводится в состояние "запись"

5) записываемое слово подается на шину ввода, откуда оно записывается в память для хранения.

Дата добавления: 2015-04-29