КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Режим работы резисторов и транзисторов
ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА РАБОТЫ ЭРЭ Определяется наихудший режим работы. Необходимо определить ток через элемент, напряжение на нем и рассеиваемую мощность. Рисунок 2.1 – Схематическое изображение резисторов с указанием номинальной мощности
Ниже приведены примеры расчета режимов для различных схем: 1) Делитель напряжения (если сопротивлением нагрузки можно пренебречь). IR1,R2= , U2=R2* , P1=I2*R1=U1*R1/(R1+R2)2; P2=I2*R2 Если сопротивление нагрузки соизмеримо с сопротивлением делителя, оно включается параллельно R2 и учитывается R2||Rн.
2) Транзисторный каскад с ОЭ IR1≈ ; UR1≈E; PP1=UR1*IR1= ; UR2≈0.6B (переход база-эмиттер), PR2=I2R1,R2*R2. UR3=E, IR3= , PR3=UR3*IR3= ; (считаем для случая, когда транзистор находится в состоянии насыщения). На транзисторе VT1 максимальная мощность (без учета нагрузки) будет рассеиваться тогда, когда на нем будет падать половина напряжения E (т.е. ). Действительно, рассеиваемая на транзисторе мощность . Эта мощность достигает максимума, когда . Тогда и . То, что это максимум подтверждается тем, что . Как известно, вторая производная в точке максимума отрицательна. Следовательно .
3) Каскад с ОЭ и резистором в цепи эмиттера IR1,R2= , IR3,R4= . Режим VT1 при R3+R4=1к, Е=10 В. Pmax= Таким образом, наихудший режим для транзистора, когда половина мощности рассеивается на транзисторе, а половина на резисторах. Наихудший режим для резисторов, когда вся мощность рассеивается на них.
4) Двойной эмиттерный повторитель и нагрузка IR1≈ , PR1=UR1*IR1= ; IR2≈ , PR2=UR2*IR2= ; I+R3= , PR3=UR3*IR3= ;
; ; ; . 5) Схема с источником тока и гасящим резистором IR1= , IR2= , IR3=IR2. Наихудший режим для транзистора VT1: IVT1= , UVT1=E-UKC-UR3, PVT1=IR2*(E-IR2*(R2+R3)). Наихудший режим для транзистора VT2: PVT2=IR2*(E-IR2*(R2+R3)).
В следующих ниже схемах будем определять только режим транзисторов. Устройства с источником тока 6) Токовое зеркало в усилительном каскаде
Транзистор VT1 ; (для кремниевых транзисторов) Транзистор VT2
; Uэк мах =Е (когда VT3 в насыщении)
Транзистор VT3 без учета нагрузки имеет максимальную мощность рассеяния равную максимальной мощности рассеяния транзистора VT2.
Транзистор VT1 ; UэбVT1 +UэбVT2 ≈ 1,2В (для кремниевых транзисторов) Транзистор VT2 (для кремниевых транзисторов)
Uкэ = Е- 0,6В (при RH=0)
Максимальная мощность рассеивания
8) Источник тока со стабилитроном
(при RH=0)
9) Схема с составным транзистором и нагрузкой. Rэкв= , Uэкв= . Наихудший режим для транзистора VT1: IVT1= , UVT1= . Наихудший режим для транзистора VT2: UVT2= , IVT2= Для R1 I= ; Для R2 I= .
10) Двухтактный эмиттерный повторитель
В этом устройстве сквозного тока через транзисторы VT1 и VT2 не бывает, т.к. напряжение, открывающее один транзистор, запирает второй. Поэтому каждый транзистор работает только на нагрузку, и максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторах VT1 и VT2 будет
PVT= .
11) Двухтактный повторитель на схемах Шиклаи
В этой схеме транзисторы VT3 и VT4 работают на нагрузку по очереди, как и в схеме рис.2.4, поэтому мощность, рассеиваемая этими транзисторами, будет PVT3,4= . Транзисторы VT1 и VT2 тоже работают по очереди, обеспечивая ток базы транзисторов VT3 и VT4.
Таким образом PVT1= , а PVT2= .
12) Параметрический стабилизатор с транзисторным усилителем тока (простой повторитель) а) Рабочий режим. В этом случае максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе, будет при максимальном напряжении сети (Ud max=1,1Ud ном) и максимальном токе нагрузки (Iн max). Pmax=(1,1Ud ном-Uвых)*Iн max.
б) Режим короткого замыкания. При этом, если мощность выпрямителя намного превосходит мощность стабилизатора, то РК3=1,1Udном* *h21 max, где РК3 – мощность, рассеиваемая на транзисторе в режиме короткого замыкания; Ud – номинальное напряжение выпрямителя; R1 – сопротивление балластного резистора R1 (рис.1); h21 max – максимальное усиление тока транзистора VT1 – берется по справочнику. Если же выпрямитель имеет мощность, согласованную со стабилизатором, то следует учесть выходное сопротивление выпрямителя. Тогда РК3=0,5Ud* , где РК3 – максимальная мощность, которая может рассеиваться на транзисторе в режиме короткого замыкания; Rвыпр – выходное сопротивление выпрямителя, включающее сопротивление обмотки трансформатора и диодов. 13) Параметрический стабилизатор с усилителем тока на составном транзисторе (схема Шиклаи) а) Рабочий режим. В этом случае максимальная рассеиваемая мощность на транзисторе VT1 будет PVT1 max=(1,1Ud ном-Uвых)*Iнmax, т.е. такая, как при простом повторителе. Максимальная мощность на транзисторе VT2 будет определяться формулой: PVT2 max=(1,1Ud max-Uвых)* , где: - в первых скобках содержится напряжение на переходе эмиттер-коллектор транзистора VT2 (без учета падения напряжения на переходе эмиттер-база транзистора VT1); - во вторых скобках первая дробь равна току базы транзистора VT1, а вторая - току резистора R1; в сумме это равняется коллекторному току транзистора VT2. б) Режим короткого замыкания. Если мощность выпрямителя намного превосходит мощность стабилизатора, максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе VT1, может достигать значения PVT1 max=1,1Ud*( * h21 VT2 max- )* h21 VT1 max, где - максимальный ток базы транзистора VT2; * h21 VT2 max – максимальный ток коллектора VT2; * h21 VT2 max- - максимальный ток базы транзистора VT1; h21 VT1 max – максимальное усиление тока транзистора VT1 (из справочника). Режим короткого замыкания определяется в том случае, если по условиям эксплуатации такой режим возможен. В этом случае должны быть предусмотрены меры защиты. 14) Определения граничного значения сопротивления В слаботочных схемах используются высокоомные резисторы. При невысоком питающем напряжении многие резисторы нагружены менее, чем на 10%. Чтобы не выполнять лишних вычислений, следует определение режимов начать с расчетов граничного значения сопротивления ; где Rгр – граничное значение сопротивления Uпит – напряжение питания Pном – номинальная мощность резистора. Если R≥Rгр, то мощность, рассеиваемая на резисторе будет меньше 0,1Pном и, значит, считать ее не надо, а можно сразу записать в таблицу Кн=0,1 и в дальнейшем, при определении коэффициента α1 брать его минимальным (как при Кн=0,1). Исключением являются некоторые импульсные схемы. Например, в мультивибраторе к боковым резисторам может быть приложено напряжение в 2 раза больше Uпит.
Дата добавления: 2015-04-30; Просмотров: 502; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |