Логические элементы на МОП транзисторах

Насыщенные биполярные логические элементы.

Основным узлом интегральных микросхем с логическими элементами ТТЛ типа является многоэмиттерный транзистор. Принцип действия ТТЛ с простым инвертором. Если на все входы подан высокий потенциал, то эмиттерные переходы МЭТ смещены в обратном, а коллекторный переход в прямом направлении, так как на базе относительно коллектора имеется высокий потенциал от источника Eк. Такое состояние переходов, противоположное по их состоянию в активном режиме работы транзистора, соответствует инверсному режиму. Инжекция (процесс введения носителей заряда) электронов в инверсном режиме происходит от коллектора, а экстракция (процесс выведения носителей заряда) в эмиттер (т.е. коллектор и эмиттер меняются ролями). Ток идет через открытый коллекторный переход к обратно смещенному эмиттерному p-n переходу. Эти протекающие на вход токи малы по величине, но больше обратного теплового тока через закрытый p-n переход. основная же часть коллекторного тока замыкается в цепи базы МЭТ. Коллекторный ток МЭТ обеспечивает насыщение инвертора V, что вызывает на выходе низкий потенциал (логический 0).

МОП технология обеспечивает производство БИС на полевых транзисторах с высокой степенью интеграции. Благодаря большому входному сопротивлению МОП транзисторов устройства, построенные на этих транзисторах, имеют высокую нагрузочную способность. такие логические схемы обладают низким выходным сопротивлением, что позволяет строить на них схемы с высокой скоростью переключения.

Дата добавления: 2015-05-06