Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Определение h-параметров




Для определения h-параметров транзистора необходимы его входная и выходная вольт-амперные характеристики. На входной ВАХ задаёмся приращением базового тока относительно рабочей точки (рисунок 2.5):

(2.8)

Приращению базового тока соответствует приращение напряжения база-эмиттер, равное:

(2.9)

Рисунок 2.5

 

Параметр h11Э, определяющий входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:

(2.10)

На выходной ВАХ транзистора также задаёмся приращением тока базы (рисунок 2.6):

(2.11)

Рисунок 2.6

 

Соответствующее приращение тока коллектора равно:

(2.12)

Тогда параметр h21Э, т.е. коэффициент передачи транзистора по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:

(2.13)

 

Для определения следующего h-параметра задаёмся приращением напряжения коллектор-эмиттер на выходной ВАХ транзистора (рисунок 2.7):

(2.14)

 

Рисунок 2.7

 

Соответствующее приращение тока коллектора составляет:

(2.15)

Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи) – параметр h22Э равен:

(2.16)

Последний h-параметр – коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока определяется по формуле пересчета:

(2.17)

где – значение тока эмиттера.

Так как ток эмиттера равен:

(2.18)

то параметр имеет значение:

(2.19)

2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемы

Физическая малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представлена на рисунке 2.8. Рассчитаем величины входящих в неё элементов.

 

Рисунок 2.8

 

Значения конденсаторов и равны ёмкостям коллекторного и эмиттерного переходов и находятся по справочнику:

(2.20)

(2.21)

Для расчёта сопротивлений резисторов необходимо определить сопротивление эмиттерного перехода эмиттерному току и крутизну вольт-амперной характеристики транзистора:

(2.22)

(2.23)

Сопротивление эмиттерного перехода базовому току рассчитываем по формуле:

(2.24)

Выходное сопротивление транзистора равно:

(2.25)

Сопротивление коллекторного перехода:

(2.26)

 

И, наконец, последний параметр – объёмное сопротивление базы:

(2.27)

2.6 Расчёт граничных и предельных частот

Предельную частоту передачи тока рассчитываем по формуле:

(2.28)

Так как модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте равен, согласно справочнику , а частота измерения то значение граничной частоты передачи тока равно:




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 333; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.