Полученные значения параметров элементов схемы (резисторы, конденсаторы) округляем до номинальных - ряда Е12 (ГОСТ2825-67,10318-80)

Ряд Е12 соответствует II классу точности, допустимое отклонение действительного значения от номинального составляет ±10%.

Шкала номинальных значений для ряда Е12.

R1 = R4 = 67.73 (Ом) → 68 (Ом).

R2 = R3 = 3.06 (Ом) → 3.3 (Ом).

Определим площадь дополнительного теплоотвода (радиатора), охлаждающего транзистор:

(см²),

где F' =1.3×10^-3(вт/см² × град) - (коэффициент теплоотдачи (1,2¸1,4)×10^-3 (вт/см² × град));

t°_пер.маx = 125 °C (максимальная температура коллекторного перехода);

t°_ср.маx = +50 °C (максимально возможная температура окружающей среды);

R_tП.К. = 7.5 (град/Вт) (величина теплового сопротивления транзистора (переход-корпус).

(R_tП.К. » (5¸10) град/Вт при Р_кдоп > 30 Вт);

P_k = 25 (Вт) (мощность, выделяемая в транзисторе (P_kВ» 0,5 Р; Р_kАВ» 0,7 Р));

S_охл = = = 171 (см2).

Справочные данные.

Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы

Oбoзнaчe-ниe	Peжим измepeния	KT818В KT819В	KT818ВM KT819ВM	KT818Г KT819Г	KT818ГM KT819ГM
h21Е	çUКБl=5 B;Iк=5 A; qкop=25°C и 100^0C qкop = -40°C	³15 ³10	³15 ³10	³12 ³7	³12 ³7
IKБO, MA	|UКБ|=40 B; qкop=25°C qкop=100°C	£1 £10	£1 £10	£1 £1	£1 £10
fгр, МГц	|UКБl=5 B;Iэ=0,5 A	³3	³3	³3	³3
½UКЭ.нас,½,B	Iк=5 A; IБ=0,5 A	£2	£2	£2	£2
½UБЭ.нас,½, B	Iк=5 A; IБ=0,5 A	£3	£3	£3	£3
½UКЭО.нас,½,B	Iэ=0,1A	³60	³60	³80	³80
½UКЭ.max,½, B	-40°C£qкop £100°C
½UКЭR.max,½B	To жe, пpи RБЭ £100 Oм
½UЭБ.mах,½,	40°C£qкop £100°C
IК mах, А	-40°C£qкop £100°C
IБ mах, А	-40°C£qкop £100°C
IК.и. mах, А	To жe, пpи tи=10 мc; Q ³100
IБ.и.mах, А	To жe, пpи tи=10мкc; Q³100^0С
Рк mах,Вт	qкop£25^0С	1,5	1,5	1,5	1,5
Рк mах т.Вт	qкop£25^0С
qпер.mах	—

Дата добавления: 2015-05-06