Схемы включения БТ: сравнительные характеристики схем включения, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности

Схема включения с общей базой

Ki=Iвых/Iвх=Iк/Iэ, Ki<1, Ku>>1, Kp>1, Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ, Rвых=Uкэ/Iк

Достоинства: Входное сопротивление мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов.

Недостатки: Малое усиление по току, Малое входное сопротивление, Два разных источника напряжения для питания.

Достоинства: Хорошие температурные и частотные свойства, Высокое допустимое напряжение

Схема включения с общим эмиттером.

Ki=Iк/Iб, Ki>1; Ku>1, Kp>>1, Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iб, Rвых=Uкэ/Iк

Достоинства: Большой коэффициент усиления по току, Большой коэффициент усиления по напряжению,

Наибольшее усиление мощности, Можно обойтись одним источником питания, Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки: Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой

Схема с общим коллектором

Iвых = Iэ

Iвх = Iб

Uвх = Uбк

Uвых = Uкэ

Ki=Iэ/Iб, Ki>>1, Ku<1, Kp>1, Rвх=(Uбэ+Uкэ)/Iб, Rвых=Uкэ/Iэ

Достоинства: Большое входное сопротивление, Малое выходное сопротивление

Недостатки: Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

10. Режимы работы БТ. Способы задания режимов работы БТ для каждой из 3-х схем включения (привести схемы включения)

Нормальный активный режим. Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) UЭБ>0;UКБ<0;

Инверсный активный режим. Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный — прямое.

Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

Режим отсечки. Оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).

Схема с ОБ.

В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора. Схема ОБ наиболее проста для анализа, поскольку в ней каждое из внешних напряжений прикладывается к конкретному переходу: напряжение uЭБ прикладывается к эмиттерному переходу, а напряжение uКБ - к коллекторному. Следует заметить, что падениями напряжений на областях эмиттера, базы и коллектора можно в первом приближении пренебречь, поскольку сопротивления этих областей значительно меньше сопротивлений переходов. Нетрудно убедиться, что приведенные на рисунке полярности напряжений (uЭБ<0; uКБ>0) обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.

Схема с ОЭ.

В схеме с общим эмиттером входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение uБЭ>0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение uКЭ распределяется между обоими переходами: uКЭ = uКБ + uБЭ. Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо uКБ = uКЭ – uБЭ > 0, что обеспечивается при uКЭ > uБЭ > 0.

Схема с ОК.

В схеме с общим коллектором входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.

Дата добавления: 2015-05-06