КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Фуллерены
Одноэлектронный транзистор. Очень перспективным с точки зрения повышения степени интеграции – до 1012 элементов на кристалл – и быстродействия СБИС, снижения энергии переключения интегральных элементов являются транзисторы на основе дискретного одноэлектронного туннелирования. Структура: На кремниевой подложке формируется слой SiO2 толщиной 20 – 30 нм. На подложку наносится слой поликремния, а затем слой SiO2. С использованием электронной литографии и реактивного ионного травления формировался поликремниевый островок - SiO2. Затем проводилось термическое окисление для получения тонкого диоксида кремния на боковой поверхности островка толщиной 2 нм. После напыления еще одного слоя поликремния при помощи электронной литографии и реактивного ионного травления изготавливались подводящие контакты. Туннельные контакты к островку осуществлялись через тонкий боковой слой окисла. Емкость перекрытия контактов и островка уменьшалась за счет большой толщины SiO2 ≈ 50 нм сверху островка. В качестве затворного электрода использовалась подложка. Прогресс технологии и появление новых схемотехнических решений позволяют надеяться на увеличение быстродействия одноэлектронных приборов, ограниченного временем туннелирования электрона через барьер.
Углеродные нанотрубки – это кристаллические структуры, в которых углерод проявляется в виде своей новой аллотропной модификации, в форме так называемых фуллеренов. Фуллерены, как новая модификация углерода, были впервые получены в 1985 г. Наиболее стабильными из всех фуллеренов, соединяющих n атомов углерода С, оказались структуры из 60 и 70 атомов, т.е. замкнутые молекулы С60 и С70.
Эти фуллерены имеют форму близкую к мячу. В отличие от графита и алмаза, структура которых представляет собой решетку атомов, третья форма кристаллического углерода является молекулярной. Минимальный элемент структуры фуллеренов – молекулы. Например, каркас наиболее устойчивого фуллерена С60 состоит из 20 шестиугольников (гексагонов) и 12 пятиугольников (петагонов). Координационное число атома углерода равно 3. Каждый атом углерода располагается на сферической поверхности молекулы. Фуллерены – замкнутые молекулы углерода, на поверхности которых шестичленные циклы связаны между собой пятичленными циклами. Нанотрубки образованные из аналогичных кристаллических структур, но с различной пространственной конфигурацией.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 393; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |