Устройство транзистора

Классификация транзисторов.

Транзисторами называются п/п приборы, способные усиливать электрическую мощность, имеющие три или более выводов, один или более p-n переходов. Они предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. В зависимости от того, носители одного или обоих типов участвуют в образовании тока, различают униполярные и биполярные транзисторы соответственно. Классификация транзисторов:

а) по устройству и принципу действия;

б) по максимально допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе:

– малой мощности – менее 0,3 Вт;

– средней мощности – 0,3…3 Вт;

– большой мощности – более 3 Вт;

в) по граничной частоте в каждой из указанных групп по мощности:

– низкочастотные – менее 3 МГц;

– среднечастотные – 3…30 МГц;

– высокочастотные – 30…300 МГц;

– сверхвысокочастотные– более 300 МГц;

Транзистор имеет три слоя, соответственно три электрода и два p-n перехода. Площади переходов имеют разную величину. Площадь между n₁-p намного меньше, чем между p-n₂. Структура транзистора несимметрична. Слой, сильно легированный с меньшей площадью, служащий для инжекции носителей в базу, называется эмиттером (Э). Слой с большей площадью, служащий для экстракции носителей из базы и собирающий эти носители, называется коллектором (К). Средний слой, управляющий движением носителей от эмиттера к коллектору, называется базой (Б). Через базу осуществляется также связь двух p-n переходов, которые называются соответственно эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП) переходами. Взаимодействие переходов обеспечивается очень малой толщиной базы между переходами (несколько 10 мкм).

Дата добавления: 2015-05-06