Полевой транзистор

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Преимуществом полевых транзисторов является большое входное сопротивление приборов (10¹⁰ – 10¹⁵ Ом), большая устойчивость к проникающим излучениям, малый уровень собственных шумов, малое влияние температуры на усилительные свойства.

1. Транзистор с затвором в виде p-n перехода. Основу прибора составляет слаболегированная полупроводниковая пластина р-типа, к торцам которой приложено напряжение U_C, создающее ток I_C через сопротивление нагрузки R_H. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком, а к которому движутся носители заряда – стоком. На границе раздела пластин n и p возникают электро-дырочные переходы. Пластины n-типа образуют затвор.

Принцип действия полевого транзистора основан на изменении ширины обедненного слоя при изменении обратного напряжения p-n перехода. С увеличением напряжения на затворе ширина обедненных слоёв увеличивается, а поперечное сечение канала и его проводимость уменьшаются.

Таким образом, изменяя напряжение U_ВХ на затворе, можно менять ток через сопротивление нагрузки R_H и выходное напряжение U_ВЫХ.

2. Транзистор с изолированным затвором. Основу прибора составляет пластина полупроводника р-типа. Этот вид транзисторов чаще называют транзисторами типа МДП (металл – диэлектрик – полупроводник). При отсутствии напряжения на затворе области n истока и стока разделены непроводящей прослойкой основной пластины. При подаче на затвор положительного напряжения электроны вытягиваются из основной пластины и скапливаются под изолирующей прослойкой. При определенной разности потенциалов концентрация электронов под диэлектриком превысит концентрацию дырок и области n будут соединены проводящим электронным каналом.

Полевые транзисторы могут быть изготовлены и на основе пластин n-типа.

Дата добавления: 2015-05-06