КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Электроника. Срок сдачи курсовой работы – 28 апреля 2013 г
Срок сдачи курсовой работы – 28 апреля 2013 г. После этого срока курсовая работа принимается и проверяется в период зачетной недели! Приложение 1 Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Кафедра электротехники и микропроцессорной электроники
КУРСОВАЯ РАБОТА по электронике
Построение схемы управления исполнительным механизмом
Работу выполнил студент группы ____________
Работу принял с оценкой _________ (должность и Фамилия И.О.) (Дата)
Москва, НИТУ "МИСиС", 2013 год
Методические указания для курсовой работы
для студентов, обучающихся по направлению 210300 «Радиотехника» специальности: 210302 «Радиотехника» специализации «Радиотехника»
Иркутск
Основные теоретические сведения
Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности электрических сигналов и имеющий три или более выводов. По принципу действия транзисторы бывают биполярные и полевые. Биполярный транзистор содержит три полупроводниковые области с чередующимися типами проводимости n-p-n или p-n-p, которые называют соответственно эмиттером, базой и коллектором. На рисунке 1 представлены схемы включения транзисторов. В схеме с общей базой (ОБ) (рис.1, а) напряжения на эмиттере U и коллекторе U отсчитывается относительно базы - общего электрода для входной и выходной цепей. Эта схема обладает усилением по напряжению и мощности, но не обеспечивает усиления тока и характеризуется малым входным сопротивлением.
Рис. 1- Схемы включения транзистора.
Наиболее широко применяется схема с общим эмиттером (ОЭ) (рис.1, б), в которой напряжения на базе U и коллекторе U отсчитываются относительно эмиттерного электрода, общего для входной (базовой) и выходной (коллекторной) цепей. Эта схема обеспечивает усиление тока и напряжения. Кроме того, ее входное сопротивление больше входного сопротивления схемы ОБ. В схеме с общим коллектором (ОК) (рис.1, в) напряжения на базе U и эмиттере U отсчитывается относительно коллектора - общего электрода для входной (базовой) и выходной (эмиттер оной) цепей. В режиме малых сигналов (так работают усилитель) характеристики транзистора с достаточной степенью точности могут считаться линейными. В этом режиме транзистор принято изображать в виде линейного четырехполюсника. Линейный четырехполюсник характеризуется двумя уравнениями, взаимно связывающими токи и напряжения на входе и выходе. В транзисторной технике наиболее широко распространение получила система h -параметров:
где при (это входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе); при (это коэффициент обратной связи, показывающий, какая часть напряжения передается с выхода на вход при разомкнутой входной цепи); при (это коэффициент усиления транзистора по току, измеренный при коротком замыкании на выходе); при (это выходная проводимость транзистора при разомкнутой входной цепи). Параметры h можно определить по статическим характеристикам транзистора.
ЗАДАЧА 1. Рассчитать h – параметры биполярного транзистора, его входное и выходное сопротивления, коэффициент передачи по току, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора. Тип транзистора задается преподавателем. Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ). Провести графоаналитический расчет усилительного каскада на заданном типе транзистора, включенного по схеме с ОЭ, с одним источником питания EК и с температурной стабилизацией рабочего режима. Определить параметры элементов схемы усилительного каскада: коэффициенты усиления по току (Кi), напряжению (Кu), мощности (Kp); токи и напряжения в режиме покоя Iбо, Iко, Uбэо, Uкэо,; амплитудные значения входных и выходных переменных токов и напряжений в линейном режиме работы усилителя; полезную выходную мощность каскада и его КПД; верхнюю и нижнюю граничные частоты полосы пропускания. Ниже приводится рекомендуемая последовательность расчета усилителя на базе транзистора p-n-p типа проводимости (рис. 1). Расчет усилителя с p-n-p типа транзистором аналогичен (в этом случае следует правильно выбрать полярность источника питания ЕК). Методика выполнения работы
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 350; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |