Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Электроника. Срок сдачи курсовой работы – 28 апреля 2013 г




Срок сдачи курсовой работы – 28 апреля 2013 г. После этого срока курсовая работа принимается и проверяется в период зачетной недели!

Приложение 1

Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"

 
 


Кафедра электротехники и микропроцессорной электроники

 

КУРСОВАЯ РАБОТА

по электронике

 

 

Построение схемы управления исполнительным механизмом

 

Работу выполнил

студент группы ____________

 
 

 


Работу принял с оценкой _________

 
 


(должность и Фамилия И.О.)

(Дата)

 

Москва, НИТУ "МИСиС", 2013 год

 

 

 

 

 

 

Методические указания для курсовой работы

 

для студентов, обучающихся

по направлению 210300 «Радиотехника»

специальности: 210302 «Радиотехника»

специализации «Радиотехника»

 

 

Иркутск

 

 

Основные теоретические сведения

 

Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности электрических сигналов и имеющий три или более выводов. По принципу действия транзисторы бывают биполярные и полевые.

Биполярный транзистор содержит три полупроводниковые области с чередующимися типами проводимости n-p-n или p-n-p, которые называют соответственно эмиттером, базой и коллектором. На рисунке 1 представлены схемы включения транзисторов. В схеме с общей базой (ОБ) (рис.1, а) напряжения на эмиттере U и коллекторе U отсчитывается относительно базы - общего электрода для входной и выходной цепей. Эта схема обладает усилением по напряжению и мощности, но не обеспечивает усиления тока и характеризуется малым входным сопротивлением.

 

 

Рис. 1- Схемы включения транзистора.

 

Наиболее широко применяется схема с общим эмиттером (ОЭ) (рис.1, б), в которой напряжения на базе U и коллекторе U отсчитываются относительно эмиттерного электрода, общего для входной (базовой) и выходной (коллекторной) цепей. Эта схема обеспечивает усиление тока и напряжения. Кроме того, ее входное сопротивление больше входного сопротивления схемы ОБ.

В схеме с общим коллектором (ОК) (рис.1, в) напряжения на базе U и эмиттере U отсчитывается относительно коллектора - общего электрода для входной (базовой) и выходной (эмиттер оной) цепей.

В режиме малых сигналов (так работают усилитель) характеристики транзистора с достаточной степенью точности могут считаться линейными. В этом режиме транзистор принято изображать в виде линейного четырехполюсника. Линейный четырехполюсник характеризуется двумя уравнениями, взаимно связывающими токи и напряжения на входе и выходе. В транзисторной технике наиболее широко распространение получила система h -параметров:

 

где при (это входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе); при (это коэффициент обратной связи, показывающий, какая часть напряжения передается с выхода на вход при разомкнутой входной цепи); при (это коэффициент усиления транзистора по току, измеренный при коротком замыкании на выходе); при (это выходная проводимость транзистора при разомкнутой входной цепи).

Параметры h можно определить по статическим характеристикам транзистора.

 

ЗАДАЧА 1.

Рассчитать h – параметры биполярного транзистора, его входное и выходное сопротивления, коэффициент передачи по току, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора. Тип транзистора задается преподавателем. Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ).

Провести графоаналитический расчет усилительного каскада на заданном типе транзистора, включенного по схеме с ОЭ, с одним источником питания EК и с температурной стабилизацией рабочего режима.

Определить параметры элементов схемы усилительного каскада:

коэффициенты усиления по току i), напряжению u), мощности (Kp); токи и напряжения в режиме покоя Iбо, Iко, Uбэо, Uкэо,; амплитудные значения входных и выходных переменных токов и напряжений в линейном режиме работы усилителя; полезную выходную мощность каскада и его КПД; верхнюю и нижнюю граничные частоты полосы пропускания.

Ниже приводится рекомендуемая последовательность расчета усилителя на базе транзистора p-n-p типа проводимости (рис. 1). Расчет усилителя с p-n-p типа транзистором аналогичен (в этом случае следует правильно выбрать полярность источника питания ЕК).

Методика выполнения работы




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 350; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.