Методические указания. Порядок выполнения работы

Порядок выполнения работы

1. Вычертить табл. 13 и 14 для получения входных и выходных характеристик транзистора и координатные оси (рис. 36, а, б) для их построения (масштаб по осям: I_Б – в 1 см 0,1 мА; U_БЭ – в 1 см 0,1 В; I_К – в 1 см 4 мА; U_КЭ – в 1 см 2 В).

2. Вычертить табл. 15 для записи электрических параметров транзисторов в трех режимах его работы.

Таблица 13

Напряжение база-эмиттер UБЭ, В
Ток базы IБ, мкА при UКЭ, В

Таблица 14

Напряжение коллектор-эмиттер UКЭ, В
Ток коллектора IК, мА при IБ, мА

Таблица 15

Режим	IБ	UБЭ	IК	UКЭ
Отсечки (р.т 1) Насыщения (р.т 2) Активный (р.т 3)

3. Зарисовать схему снятия входных и выходных характеристик транзистора (см. рис. 32) и собрать ее, пользуясь графическими обозначениями на сменной панели 87Л-01/6.

4. Снять входные и выходные характеристики и 'результаты измерений занести в табл. 13 и 14.

5. Построить входные и выходные характеристики в координатных осях (см. рис. 36. а, б).

6. Определить по характеристикам электрические параметры транзистора в режимах отсечки, насыщения и активном и занести их в табл. 15.

7. Выполнить построения на входных и выходных характеристиках для определения h-параметров транзистора, рассчитать их и занести результаты расчетов в табл. 16. В эту же таблицу занести h-параметры транзистора, полученные при выполнении работы № 5.

I_Б, мА

0,4

0,3

0,2

0,1
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 U_БЭ, В

I_К, мА

2
2 4 6 8 10 12 U_КЭ, В

Рис. 36.

1. В работе исследуется транзистор МП39.

2. Для снятия входных характеристик используют:

G1 (ГТ) — генератор тока (ИПД);

G2 (ГН2) — генератор напряжения (ВС-24М);

РА1 (I_Б)— миллиамперметр на пределе измерения «0,5 мА»;

РV1 (U_БЭ) —вольтметр на пределах измерения «0,5 В» и «0,1 В»;

РА2 (I_К) — не подключают;

РV2 (U_КЭ)—измеритель напряжений между коллектором и эмиттером.

Снимая характеристику при U_КЭ = 0, прибор РV2 не используют, G2, также

не подключают.

При снятии характеристики при U_КЭ =0,1 В в качестве G2 используют ГН1— часть диапазона регулирования его выходного напряжения от 0 до 7 В;

Снимая характеристику при U_КЭ = 5 В, используют ГН2.

3. Для снятия выходных характеристик используют:

G1 (ГТ) — генератор тока;

G2(ГН2) — генератор напряжения (при U_КЭ, равном 5 и 10 В);

РА1 (I_Б) — миллиамперметр на пределах измерения «10 мА», «5 мА», «1 мА» и «0,5 мА»;

РV1 (U_БЭ) — не подключают;

РА2 (I_К) — миллиамперметр на пределах измерения «50 мА», «10 мА», «5 мА», «1 мА» и «0,5 мА»;

РV2 (U_КЭ) — вольтметр стенда, подключаемый к выходу ГН2 или ГН1.

4. При определении электрических параметров транзистора в различных режимах его работы принять U_КЭ = 12 В и R_К = 1,5 кОм. Линия нагрузки при этом пересечет оси I_К и U_КЭ соответственно в точках 8 мА и 12 В (см. рис. 33, б).

Рабочие точки р.т 1 и р.т 2 соответствуют режимам отсечки и насыщения. Рабочую точку р.т 3 транзистора в активном режиме выбирают посередине участка р.т 1 — р.т 2 линии нагрузки.

Контрольные вопросы

1. Почему h_21Э значительно больше I?

2. Почему входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ больше, чем в схеме с ОБ?

3. Какие параметры транзистора, включенного с ОЭ, характеризуют его рабочую точку?

4. Каков физический смысл h-параметров и при каких условиях их определяют?

5. Почему схема включения транзистора с ОЭ наиболее распространена?

6. Почему концентрация примеси в эмиттере значительно больше, чем в базе?

7.Почему необходимо отводить теплоту от коллекторной области транзистора?

8. Каковы особенности активного режима работы транзистора?

9.Как транзистор переводят в режим насыщения?

10. Как добиваются режима отсечки?

11. Какие электрические параметры характеризуют рабочую точку транзистора?

12. Почему ток коллектора при постоянном токе эмиттера не зависит от напряжения между коллектором и базой?

Лабораторная работа №6

Снятие характеристик и определение параметров полевого транзистора

Цель работы: изучение принципа действия, снятие характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с p - n - переходом.

I. Предварительная подготовка к работе

Контрольные вопросы

1. Расскажите об устройстве и принципе работы полевого транзистора с затвором в виде p – n - перехода.

2. Начертите схему включения полевого транзистора с указанием полярности источников напряжения, в цепи затвора и стока.

3. Приведите условные обозначения и примеры маркировки полевых транзисторов.

4. Чем объяснить высокое входное сопротивление полевого транзистора по сравнению с биполярными транзисторами?

5. Какие носители заряда (основные или неосновные) участвуют в создании тока стока?

6. Постройте семейство стоковых характеристик полевого транзистора и поясните влияние на ток стока напряжений стока и затвора.

7. Укажите на стоковой характеристике, снятой при нулевом напряжении затвора, значение напряжения насыщения и рабочую область характеристики.

8. Постройте стоко-затворную характеристику полевого транзистора и поясните принцип управления током стока.

9. Перечислите основные параметры полевого транзистора и способы их определения по характеристикам.

10. Сравните свойства полевого (униполярного) транзистора с биполярным транзистором и электронной лампой (пентодом).

11. Расскажите о возможностях практического использования полевых транзисторов в электронной аппаратуре.

Схема исследования, необходимые приборы и детали

Схема для снятия характеристик полевого транзистора с затвором в виде р-п- перехода и показана на рис. 1.

Для подбора элементов схемы необходимо знать допустимые значения токов и напряжений исследуемого транзистора. В табл. 1 приведены основные данные некоторых полевых транзисторов.

В схеме имеются два источника, позволяющие изменять напряжение на затворе и стоке полевого транзистора. Источниками э.д.с. Е1 и Е2 могут быть сухие элементы или аккумуляторы. Потенциометры R1 и R2, позволяющие регулировать напряжения на затворе и стоке транзистора, имеют сопротивления порядка 500 - 1000 Ом. Измерительные приборы в цепях затвора и стока рассчитаны на измерение постоянных токов и напряжений. Целесообразно применять приборы магнитоэлектрической системы. Их пределы измерений должны быть удобными для снятия стоковых и стоково-затворных характеристик и зависят от величины токов и напряжений в цепях исследуемого транзистора (уточняются при опробовании схемы).

Таблица 1

Дата добавления: 2015-05-06