КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Выбор положения рабочей точки
Расчет параметров графоаналитическим способом основан на использовании нелинейных статических характеристик. В первую очередь на семействе выходных характеристик изобразим кривую ограничения режима работы транзистора по мощности Ркт. Она строится согласно уравнению Ркm= UкэIк. Задаваясь значениями Uкэ, находим Iк по заданному (паспортному) значению Рк (таблица 1).
Таблица 1 Далее на семействе выходных характеристик (рисунок 3) проводим нагрузочную линию, используя уравнение для коллекторной цепи Полагая Uкэ = 0 В, получим где Rобщ = Rк + Rэ - суммарное сопротивление в выходной цепи транзистора. Полагая Iк = 0, имеем Uкэ = Eп=11,7 В. Так как Rобщ пока неизвестно, используем две точки (рисунок 3): точку А с координатой (Еп, 0) и выбранную по некоторым соображениям точку Р. Положение точки Р нужно выбрать из следующих соображений: а) точке Р соответствует значение тока Iкр 1,2Iим 24мА и значение напряжения U кэр (Uвых.+Uост)=5+1=6 В, где Iкр - постоянная составляющая тока коллектора; Iим - амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки); Uкэр - постоянная составляющая напряжения коллектор-эмиттер. Uост маломощных транзисторов принимается ориентировочно равным 1В. б) точка Р должка располагаться в области значений токов и напряжений, не попадающих в верхнюю область, ограниченную кривой Ркм (рисунок 3). Определив координаты точки Р проводим на семействах выходных характеристик нагрузочную прямую APD (рисунок 3) и определяем значение тока базы Iбр, соответствующее выбранному значению тока коллектора Iкр: Iбр =0,6 мА. По значению тока базы Iбр определяем положение точки P1 на входной характеристике (рисунок 2). Определяем значения токов Iкм и Iк.min: Iкм = Iкр+ Iим=20+24=44 мА, Iк.min =Iкр -Iим=24-20=4 мА, где Iнм - амплитуда переменной (синусоидальной) составляющей тока нагрузки. Откладывая по оси токов значения Iкм, Iк.min находим на нагрузочной линии точки В и С, которым соответствуют значения токов базы Iбм=1,6 мА, Iб.min=0,13 мА и значения напряжений Uкэм=10,8 В, Uкэ.min= 1 В. Амплитуду синусоидальной составляющей напряжения коллектор-эмиттер находим из соотношения:
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 370; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |