| №
Вопроса
| №
блока
| Текст вопроса
| Варианты ответов
| Номер правильного варианта ответа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Что такое электроника?
| Наука о движении заряженных частиц
| Наука о движении ионов
| Раздел нау-ки и техни- ки изучаю-щий свойст-ва электрон-ных систем
| Философс-
кое понятие
| Наука о движении электронов
|
|
|
|
| Что такое промышленная электроника?
| Электрони-ка для об-служивания космоса
| Электрон-ные прибо-ры в авто-матике
| Электрони-ка в отрас-лях промы-шленности
| Техничес-кие прило-жения элек-троники
| Электронная техника в приборах и устройствах
|
|
|
|
| Две части промышленной электроники?
| Военная и гражданская
| Информаци-онная и эне-ргетическая
| Автоматика и радио
| Автоматика и энергетика
| Промышленная и научная
|
|
|
|
| Чем занимается электроника?
| Выпуском электрон-ных приборов
| Разработкой электрон-ных устройств
| Поставкой электронно-го оборудо-вания для народного хозяйства
| Изучением движения заряженных частиц в различных средах
| Изучением электричес-ких токов и напряжений
|
|
|
|
| Что такое пассивные элементы электроники?
| Резисторы
| Функциона-льно автоно-мные узлы РЭА
| Реле, разъемы, переключа-тели
| Трансформаторы
| Конденсаторы
|
|
|
|
| Что мы называем резистором?
| Изделие для создания в эл. цепи зад анного соп-ротивления
| Элемент электричес-кой схемы
| Сопротивле-ние в схеме электронно-го прибора
| Нагрузоч-ный элемент в электри-ческой цепи
| Сопротивление опреде-ленной величины
|
|
|
|
| Для чего служат резисторы в электрических цепях электронных схем?
| В качестве нагрузки
| Для ограничения токов и напряжений
| Для форми-рования за-данных токов и напряжений в электричес-кой цепи
| В качестве защитных элементов
| Для установки режимов работы прибора
|
|
|
|
| Два класса резисторов?
| Высокой и низкой точности
| Металличес-кие и полупро-водниковые
| Проволочные и непро-волочные
| Угольные и композит-ные
| Простые и сложные
|
|
|
|
| Две группы резисторов?
| Термисторы и термо-резисторы
| Постоянного и переменного сопротивлений
| Угольные и композит-ные
| Простые и сложные
| Высокой и низкой точности
|
|
|
|
| Какие резисторы относятся к полупроводниковым?
| Термисторы варисторы и фоторезис-торы
| Простые и сложные
| Металличес-кие
| Высокой и низкой точности
| Постоянного и переменного сопротивлений
|
|
|
|
| Что такое ТКС?
| Температур-ный комплекс сопротивлений
| Температур-ный коэффици ент сопроти-вления
| Тритий, кобальт,
самарий
| Тензометри-ческий коэф-
фициент сопротивления
| Точность, качество, скорость
|
|
|
|
| Какой материал проводящего элемента у проволочных резисторов?
| Медь
| Алюминий
| Манганин константан нихром
| Сталь
| Латунь
|
|
|
|
| Что мы называем конденсатором?
| Элемент
электричес-кой цепи
| Устройство для конден-сации пара
| Две обклад-ки разделен
ные диэлек-триком
| Устройство для хранения заряда
| Накопитель энергии
|
|
|
|
| Два класса конденсаторов?
| Высокой и низкой точности
| Постоянной и перемен-ной емкости
| Простые и сложные
| Металличес-кие и полупро-водниковые
| Варисторы и фоторе-зисторы
|
|
|
|
| Что такое ТКЕ?
| Температур-ный коэффици
ент емкости
| Зависимость емкости от температуры
| Зависимость резистора от температуры
| Зависимость индуктивности от температ-ры
| Зависимость частоты от температуры
|
|
|
|
| Что такое варикап?
| Переменная емкость
| Емкость,за-висящая от темпера-туры
| П/п диод, ем-кость p-n пере-хода которого зависит от напряжения
| Вакуумный прибор
| Прибор для измерения емкости
|
|
|
|
| Для чего в электронике применяется трансформатор?
| Для разде-
ления источ
ника от «земли»
| Для согла-сования сопротивле-ний
| Для повышения напряжения
на выходе
| Для понижния напряжения
на входе
| Для компен-сации помех
|
|
|
|
| Какие коммутирующие элементы применяются в электронике?
| Ключи
| Шаговые искатели
| Переключа-тели и сое-динители
| Искровые разрядники
| Рубильники
|
|
|
|
| Три класса кристаллических тел по ширине запретной энергетической зоны?
| Драгоцен-ныекамни,
соли,сплавы
| Металлы,полупроводники,диэлек-трики
| Полупроводники,
| Диэлектри-ки
| Соли
|
|
|
|
| Каким образом валентным электронам атомов кристалла может быть сообщена энергия?
| Нагревом, освещением, эл.магнитн.
полем
| Ускорением
| Импульсом силы
| Изменением скорости движения
| Ударом
|
|
|
|
| Что такое электрический переход в полупроводнике?
| Граница меж-ду областями с разной концен-трацией электронов
| Граница меж-ду областями с разной электро-проводностью
| Граница меж-ду областями с разной концен-трацией дырок
| Контакт между двумя полу-проводниками
| Контакт ме
жду физиче
ски разными
областями
|
|
|
|
| Что такое p-n-переход?
| Граница между анодом и катодом
| Электрическое поле между
p-n областями полупровод-ника
| Переход меж-ду двумя об-ластями полу-проводника с различным типом проводимости
| Это пере-ход, ВАХ которого нелинейна
| Барьер заряда на пути тока через полупроводник
|
|
|
|
| Что такое – уровень Ферми?
| Энергия свободных электронов
| Энергия электронов металла при абсолютном нуле
| Энергия валентных электронов
| Уровень энергии в запрещен-ной зоне
| Энергия электронов
|
|
|
|
| Какой полупроводник р-типа?
| Германий
| С дырочной электропро-водностью
| Кремний
| Германий и кремний
| Кристалличес-кая решетка со свободными электронами
|
|
|
|
| Какой полупроводник n-типа?
| Кристалличес-кая решетка со свободными дырками
| Кремний и германий
| С электрон-ной электро-провод-ностью
| Кремний
| Германий
|
|
|
|
| Что наблюдается в равновесной системе металл - р-полупроводник?
| Перемещение электронов из металла в полупровод-ник
| Уменьшение концентрации дырок вблизи контакта
| Избыточный заряд электро-нов вблизи контакта
| Равенство встре-чно движущихся электронов и ды
рок и отсутствие разности сопро-тивлений в мес-те контакта.
| Изменение уровня Ферми
|
|
|
|
| Что называется барьером Шотки?
| Сопротив-ление p-n-перехода
| Переход полупровод
ник-металл
| Отмель в Индийском океане
| Наименова-ние диода
| p-n-переход
|
|
|
|
| Два типа p-n-переходов в зависимости от характера распределения примесей?
| Прямой и обратный
| Точечный и плоскостной
| Резкий и плавный
| Низкоомный и высокоомный
| Диффузионные и эпитаксиальные
|
|
|
|
| За счет чего возникают вентильные свойства в полупроводниковых диодах?
| За счет кон-тактной раз-ности потен
циалов
| За счет ухода электронов
| За счет умень
шения кон-центрации дырок
| За счет основных носителей
| За счет неосновных носителей
|
|
|
|
| Чем характеризуется потенциальный барьер в p-n-переходе?
| Избытком электронов
| Избытком дырок
| Равенством уровней Ферми -p- и -n- слоев
| Высоким сопротивле-нием
| Динамичес-ким равновесием
|
|
|
|
| Что происходит, если к диоду подвести прямое напряжение(к слою -р- +, к -n- минус)?
| Потечет ток
| Сопротив-ление уменьшится
| Сопротив-ление увеличится
| Количество носителей не изменится
| Потенциаль-ный барьер уменьшается
|
|
|
|
| Что происходит, если к диоду подвести отрицательное (обратное) напряжение?
| Сопротив-ление увеличится
| Количество носителей не изменится
| Ток уменьшится
| Потенциаль-ный барьер увеличивается
| Сопротив-ление увеличится
|
|
|
|
| По какой формуле может быть построена теоретическая ВАХ п/п диода?
| Id = a*Ud+b
| Ud/φT
Id=Is(e -1)
| Ud = a*Id+b
| Id = a*Ud2
| Ud = a*Id2
|
|
|
|
| Какие виды пробоя диодов вы знаете?
| Туннель-ный, лавин-ный,тепло-вой
| Лавинный
| Тепловой
| Скоростной
| Лихой
|
|
|
|
| Какой элемент использует обратную ветвь ВАХ диода?
| Стабилит-рон
| Транзистор
| Тиристор
| Импульс-ный диод
| Обращен-ный диод
|
|
|
|
| Чем определяется интервал токов стабилизации стабилитрона?
| Рассеивае-мой мощно-стью и диф-ференциальным сопро-тивлением
| Дифферен-циальным сопротивл.
| Напряжени-ем стабили-зации
| Током нагрузки
| Рассеивае-мой мощно-стью
|
|
|
|
| Какой элемент имеет ВАХ S-образной формы?
| Светодиод
| Фотодиод
| Туннельный диод
| Тиристор
| Выпрямительный диод
|
|
|
|
| Какой исходный монокристалл в трехслойной структуре p-n-p типа?
| Индий
| р-проводи-мости
| n-проводи-мости
| Германий
| Кремний
|
|
|
|
| Как называется структура с чередующимися проводимостями p-n-p или n-p -n типа?
| Тиристор
| Транзистор
| Многослой-ной
| Сложной
| Усилитель
|
|
|
|
| Какой исходный монокристалл в трехслойной структуре n-p -n типа?
| n-проводи-мости
| Кремний
| Германий
| р-проводи-мости
| Индий
|
|
|
|
| Как называются три слоя в полупроводниковом триоде?
| Эммитер ба-за коллектор
| База,контак-тор,исток
| Инжектор,
сток, приток
| Коллектор, кондуктор, база
| Стопор, анод, катод
|
|
|
|
| Почему контакт между слоями р- и n-называется переходом?
| Т.к. через переход проходят электроны
| Т.к.их физи-ческие свой-ства сущест-венно раз-личаются
| Т.к.они име-ют разное сопротив-ление
| Потому что уровень Ферми у них разный
| Потому что эти слои неравно-весны
|
|
|
|
| Что протекает через переходы транзистора при отсутствии внешних напряжений?
| Токи диффу-зии и дрейфа
| Электроны
| Дырки
| Неосновные носители
| Основные носители
|
|
|
|
| Что происходит с потенциальными барьерами п/п триода при подключении внешних напряжений?
| Они исчезают
| Уровень увеличива-ется
| Их уровень изменяется
| Уровень уменьша-ется
| Барьеры выравнива-ются
|
|
|
|
| Какие токи через переходы текут при подключении внешних напряжений?
| Электрон-ный
| Дырочный
| Диффузионные
| Дрейфовые
| Диффузионный и дрейфовый
|
|
|
|
| Какая эквивалентная схема п/п триода позволяет получить его ВАХ?
| Схема с ОБ
| Схема с ОК
| Идеализи-рованная
| Упрощенная
| Схема с ОЭ
|
|
|
|
| Как называются три схемы включения п/п триода?
| Усилитель,инвертор,ключ
| Замкнутая, разомкнутая
нейтральная
| Частная, об-щая, с зазе-млением
| Входная, выходная,промежуточная
| ОБ, ОЭ, ОК
|
|
|
|
| Какие уравнения называются уравнениями Эберса-Молла?
| IЭ`= IЭ – αi*IК
IК`= IК – α0*IЭ
| Общее выражение, связываю-щее токи с напряже-ниями в транзисторе
| Соотношения, полученные из эквивалентной схемы тран-зистора, состо-ящим из двух встречно включенных диодов
| Уравнения,связывающие то-ки и напряже-ния в триоде и полученные
при положите-льных потен-циалах на эми-ттере и кол-лекторе
| Зависимости, определяю-щие прямой ток в диоде.
|
|
|
|
| Какое соотношение характеризует семейство выходных характеристик транзистора?
| IK = f(UКЭ)
|
ja=js(еUa/φт -1)
| IБ = IЭ – IК
| IK=αN*IЭ -IКТ *(еUкб/φТ -1)
| IK=α*IЭ
|
|
|
|
| Почему в качестве измеряемых параметров транзистора выбраны параметры четырехполюсника?
| Недоступ-
ность пе-
реходов
| Наличие математ. формул
| Неявная физичес. картина
| Независимость от электриче-ской схемы внутренних соединений
| Т.к. параметры четырехполюс-ника связаны с физическими параметрами транзистора
|
|
