Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор. Диэлектрическая изоляция

Диэлектрическая изоляция

Резистивная изоляция.

Резистивная изоляция элементов ППИМС (рисунок 4.2а) отличается от предыдущей тем, что слаболегированная подложка берется того же типа, что и коллекторные области БТ. Паразитная связь между элементами схемы существует всегда, но не зависит от частоты. Поэтому на высоких частотах она может оказаться меньше, чем в предыдущем случае.

а) б)

Рисунок 4.2

При таком методе изоляции (рисунок 4.3а) элементы схемы отделены друг от друга слоем двуокиси кремния. Паразитная емкостная связь между элементами C_П значительно меньше, чем в первом случае, так как диэлектрическая постоянная двуокиси кремния ниже, чем у кремния. Производство таких ИМС более трудоемкое, чем в предыдущих.

а) б)

Рисунок 4.3

Существуют так же другие методы изоляции, некоторые из них представляют видоизменение или комбинацию выше перечисленных [5].

Поскольку биполярные n-p-n транзисторы составляют основу ППИМС, рассмотрим их подробно, включая технологию изготовления.

Дата добавления: 2015-05-06