Усилители переменного и постоянного тока

Тестовые задания к разделу 1

Вопросы для самоконтроля

1.8.1 С какой целью в полупроводниковый материал добавляют примесь?

1.8.2 В каком случае примесь называется донорной, а в каком акцепторной?

1.8.3 Что называется р-п -переходом?

1.8.4 Что называется контактной разностью потенциалов? Чему равна контактная разность потенциалов в р-п -переходе на основе кремния и германия?

1.8.5 В чем состоят различия между выпрямительным диодом и стабилитроном?

1.8.6 Привести классификацию полупроводниковых диодов.

1.8.7 От чего зависит ток коллектора транзистора?

1.8.8 Зависит ли коэффициент b _ст от тока коллектора? Если да, то насколько существенна эта зависимость? Обосновать ответ.

1.8.9 На семействе выходных ВАХ биполярного транзистора показать область насыщения и область отсечки коллекторного тока.

1.8.10 Что оказывает большее влияние на ток коллектора – ток базы или напряжение коллектор-эмиттер?

1.8.11 Изобразить УГО транзисторов р-п-р - и п-р-п -типов.

1.8.12 Какими математическими соотношениями связаны токи биполярного транзистора?

1.8.13 Как подключают источники напряжения к переходам база-эмиттер и база-коллектор в активном режиме работы транзистора?

1.8.14 Пояснить устройство и особенности функционирования полевого транзистора с управляющим р - п -переходом.

1.8.15 Пояснить устройство и особенности функционирования полевых транзисторов с изолированным затвором.

1.8.16 Привести УГО всех типов полевых транзисторов.

1.8.17 Пояснить устройство и особенности функционирования тиристора.

1.8.18 Привести УГО транзисторов типа IGBT и SIT, пояснить особенности их устройства и функционирования.

1.9.1 Удельное электрическое сопротивление полупроводникового материала при нормальной температуре:

а) больше, чем диэлектрика;

б) меньше, чем проводника;

в) больше, чем проводника;

г) значительно больше, чем диэлектрика.

1.9.2 При повышении температуры удельное электрическое сопротивление полупроводникового материала:

а) уменьшается;

б) не изменяется;

в) увеличивается;

г) значительно увеличивается.

1.9.3 Если в полупроводниковый материал четвертой группы периодической таблицы Менделеева добавить в виде примеси материал из третьей группы то получим:

а) диэлектрик;

б) полупроводник р -типа;

в) проводник;

г) полупроводник п -типа.

1.9.4 Контактная разность потенциалов р-п -перехода на основе германия при температуре 300 К имеет значение:

а) 1,1 … 1,3 В;

б) 0,6 … 0,8 В;

в) 0,2 … 0,4 В;

г) 0,4 … 0,6 В.

1.9.5 Диффузионный ток через р-п -переход определяется выражением:

а) ;

б) ;

в) ;

г) .

1.9.6 Если к диоду приложено обратное напряжение, то его сопротивление:

а) велико;

б) стремится к бесконечности;

в) мало;

г) равно нулю.

1.9.7 Условное графическое обозначение выпрямительного диода представлено на рисунке:

1.9.8 Биполярный транзистор содержит количество р-п -переходов, равное:

а) одному;

б) двум;

в) трем;

г) четырем.

1.9.9 Выходным током биполярного транзистора управляют с помощью:

а) тока эмиттера;

б) тока базы;

в) потенциала базы;

г) потенциала эмиттера.

1.9.10 Выходным током полевого транзистора управляют с помощью:

а) тока истока;

б) тока затвора;

в) потенциала затвора;

г) потенциала истока.

1.9.11
Условное графическое обозначение полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом представлено на рисунке:

1.9.12 Если валентность примеси меньше чем валентность основного вещества полупроводника, то примесь называется:

а) валентной;

б) ковалентной;

в) донорной;

г) акцепторной.

Дата добавления: 2015-05-06