P-n переход при обратном смещении. Пробой p-n перехода

Электронно-дырочным p-n наз. такой переход, кот. образован двумя областями ПП с разными типами проводимости: электронный и дырочный.

Включение, при кот. к p-n переходу прикладывается внешнее напряж. U_обр в фазе с контактной разностью потенциалов, наз. обратным (рис. 1.).

рис. 1.

Под действием эл. поля, создаваемого внешним источником U_обр, основные носители оттягиваются от приконтактных слоев вглубь полупроводника. Как видно из рис. 2 это приводит к расширению p-n перехода (h’>h). Потенциальный барьер возрастает и становится равным U_б=U_к+U_обр. Число основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля, уменьшается. Это приводит к уменьшению диффузионного тока, кот. может быть определен по формуле:

I_диф=I_обр ехр·(-q_eU_обр / кТ).

При обр. включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, т.к. создается движение неосновных носителей. Этот ток наз. обратным и определяется по формуле: I_обр=I_др – I_диф.

Пробоем наз. резкое увелич. I ч/з переход в области обратных напряж. превышающих U, называемое U_проб. Существуют 3 основных вида пробоя: туннельный, лавинный и тепловой.

рис. 2.

Дата добавления: 2015-05-06