Самостоятельная работа бакалавра

Содержание практических занятий

Содержание лекционных занятий по темам с указанием используемых инновационных образовательных технологий.

Лабораторная работа №2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛУПРОВОДНИКОВОГО СТАБИСТОРА, СТАБИЛИТРОНА И ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА 21

Лабораторная работа №1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ 6

Библиографический список

1. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. СПб.: Питер, 2003.- 512 с.

2. Булычев Ф.П., Лямин П.М., Туликов Е.С. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 2001.- 416 с.

3. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л.: 1985.- 352 с.

4. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980.-383 с.

5. ГОСТ 2.730-73. ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.

6. ОСТ II.336.919-81. Приборы полупроводниковые. Система обозначений.

7. СТП ЛИАП 102-83. Документы текстовые учебные. Правила выполнения иллюстраций.

Оглавление

ПРЕДИСЛОВИЕ 3

ВВЕДЕНИЕ 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 39

Библиографический список 40

Тема1. Элементы электронных устройств. Полупроводники. Полупроводниковый диод, тиристоры, транзисторы устройство, условное обозначение. Вольт-амперные характеристики, технические характеристики, маркировка.

Тема 2. Выпрямители в однофазных и 3-х фазных цепях. Электрические схемы. Условное обозначение. Технические характеристики, маркировка.

Тема3. Преобразователи /Инверторы, конверторы, преобразователи частоты/. Назначение, принцип действия, устройство. Технические характеристики.. Электрические схемы.

Тема4. Усилители, принцип действия, устройство. Классификация усилителей и их характеристики. Операционные усилители. Назначение, условные обозначения, технические характеристики, маркировка. Электрические схемы.

Тема5. Генераторы электрических колебаний. Назначение, принцип действия, устройство. Технические характеристики.

Тема 6. Решающие устройства на ОУ (интегрирующие, дифференцирующие и суммирующие устройства на ОУ. Технические характеристики. Электрические схемы.

Тема7. Основы Булевой алгебры. Коды (двоичный десятичный). Импульсные устройства (электронный ключ, триггер, мультивибратор, регистр, дешифратор, шифратор, мультиплексор,) Электрические схемы.

Тема8. Логические устройства. Устройство, назначение, технические характеристики. Электрические схемы.

Тема9. Цифровые преобразователи ЦАП, АЦП. Электрические схемы. Маркировка. Технические характеристики.

Тема10. Цифровые вычислительные устройства. (принцип действия). Блок схема ЭВМ (интерфейс, периферийные устройства). Блок схемы.

Тема11. Сигналы электросвязи. Принципы построения систем и средств связи. Принципы работы современной радиоэлектронной аппаратуры связи.

Тема1. Исследование выпрямителей Расчет 1-фазного выпрямителя (2ч).

Расчет сглаживающего фильтра (2час). Аудиторная самостоятельная работа №1.(1ч).

Тема 2. Исследование НЧ усилителя. Расчет усилителя НЧ на БП транзисторе(4час). (лаб. работа 2ч). Аудиторная самостоятельная работа №2..(2ч).

Тема 3. Исследование логических схем Алгоритм проектирования устройств с использованием алгебры логики (2час). (лаб.Работа 2ч). Аудиторная самостоятельная работа №3.(2ч).

Тема 4. Исследование решающих устройств на базе ОУ. Расчет сумматора на ОУ (4час). Аудиторная самостоятельная работа №4.(2ч).

Тема 5. Исследование решающих устройств на базе ОУ.).Расчет Умножителя на ОУ (4час).Аудиторная самостоятельная работа №5(2ч).

Тема 6. Исследование решающих устройств на базе ОУ..Расчет интегратора на ОУ (2час) (Аудиторная самостоятельная работа №6.(2ч)

Тема 7. Исследование решающих устройств на базе ОУ..Расчет дифференцирующего устройства на ОУ(4час). Самостоятельная работа №7(2ч).

Тема 8. Исследование параметрического стабилизатора на базе стабилитрона.(2ч). Расчет параметрического стабилизатора напряжения(2час) Самостоятельная работа №8.(2ч).

Задания и темы, выносимые на самостоятельную работу	Время на подготовку, час	Форма СРС*	Форма контроля	Литература (номера источников)
Расчет цепей		Проведение расчета	Оформленный отчет, опрос	1,2,3
Расчет цепей		Проведение расчета	Оформленный отчет, опрос,	1,2,3
Подготовка к сдаче отчетов		Чтение литературы и оформление отчетов	Оформленный отчет, опрос	1,2,3
Написание рефератов		Чтение литературы и оформление реферата	Оформленный отчет,опрос	1-4 Интернет

Электроника (4 семестр)

Тема 1: Полупроводниковые приборы и устройства.

1. Лекция 1 (2ч)

1.Полупроводник, различные типы проводимости (р,n-проводимость). Электронно-дырочный переход (р-n) переход; прямой и обратный токи.

2. Полупроводниковые диоды. Электрофизические свойства и вольт-амперная характеристика диода. Условные обозначения, технические характеристики, маркировка.

3. Полупроводниковые cтабилитрон и его свойства; расчет простейшего стабилизатора на стабилитроне.

1.Полупроводник, различные типы проводимости (р, n- проводимость); р-n переход.

Полупроводниковые приборы - электронные приборы, принцип действия которых основан на использовании свойств полупроводников.

К полупроводникам относят вещества, удельное электрическое сопротивление которых при комнатной температуре лежит в пределах ρ≈10^-4÷10¹⁰ Ом·см. Вещества, удельное сопротивление которых меньше - относят к проводникам, больше - к диэлектрикам.

В основе электрических явлений в полупроводниковых приборах лежат процессы движения свободных носителей электрических зарядов, т.е. частиц, не связанных с отдельными атомами и способных свободно перемещаться в кристаллической структуре. В полупроводниках свободные носители зарядов могут образовываться в результате разрыва ковалентных ¨ связей и отделения от атомов полупроводника валентных электронов либо в результате ионизации атомов примесей. Процессы образования свободных частиц называются генерацией, а процессы возвращения свободных частиц в связанное состояние- рекомбинацией.

Процесс образования свободных носителей зарядов требует затраты некоторой энергии, необходимой для «освобождения» частиц из связанного состояния. Эта энергия может быть сообщена кристаллу в различной форме: в виде тепла (тепловая генерация), кинетической энергии движущегося тела (ударная генерация), энергии электрического поля (полевая генерация), энергии фотонов при облучении светом.

Рекомбинация частиц сопровождается выделением энергии, которая может быть излучена в виде фотонов или же воспринята кристаллической решеткой в виде фононов.

В большинстве полупроводниковых приборов используется явление примесной проводимости. В качестве основного кристаллического вещества используют кремний или германий. Атомы кремния и германия 4-х валентны. В узлах кристаллической решетки германия расположено 4 атома. Валентные электроны атомов находятся в ковалентныхсвязях с валентными электронами соседних атомов. Благодаря ковалентным связям, атомы удерживаются в узлах кристаллической решетки. Если в кристаллическую решетку внести примесь пятивалентного вещества (сурьма, мышьяк, фосфор) то атомы примеси займут соответствующие места в узлах кристаллической решетки. 4 валентных электрона каждого атома примеси войдут в ковалентные связи с соседними атомами германия, а пятые останутся незанятыми, и будут очень слабо связаны с атомами. Именно эти электроны и будут участвовать в проводимости, которая называется электронной. Атомы примеси, дающие избыточные электроны кристаллу основного вещества, называются донорами.

Если ввести в кристалл германия или кремния в качестве примеси трехвалентное вещество, например, бор, алюминий, галлий или индий, то одна из ковалентных связей в каждом атоме примеси окажется незанятой, и на нее может перейти валентный электрон с соседнего атома основного вещества. В следствие этого, в атоме основного вещества образуется недостаток электронов, (дырка). Под действием электрического поля дырки будут перемещаться в направлении электрических силовых линий и создадут дырочную проводимость. Атомы трехвалентной примеси называют акцепторами, т.к. они присоединяют к себе валентные электроны основного вещества, образуя отрицательные ионы.

Дата добавления: 2015-05-06