Введение. Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ»

Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2.

Требования к контрольной работе:

1. Контрольная работа выполняется в тетради в клетку либо на листах формата А4 аккуратным разборчивым почерком.

2. Все схемы, таблицы, графики выполнять в соответствии с ГОСТ.

3. Задачи должны содержать исходные данные по вашему варианту, электрическую схему и необходимые пояснения к ходу решения. Все вычисления, графики приводить в решении задач.

4. Контрольная работа предоставляется на рецензию заранее. При наличии замечаний в той же работе приводится исправленный вариант.

Сведения на контрольную работу №2.

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (рисунок 1,2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:

а) построить линию нагрузки;

б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искаженной формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;

в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току К_I, напряжению К_U и мощности К_P и входное сопротивление усилителя R_ВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р,мощность, рассеиваемую в коллекторе Р_К, потребляемую мощность Р_ПОТР и коэффициент полезного действия η.

Задача 2: Рассчитать h - параметры транзистора в рабочей точке и построить эквивалентную схему прибора на низкой частоте, используя характеристики заданного биполярного транзистора (задача №1).

Задача 3:Исходные данные для задачи берем из таблицы 2. По выходным характеристикам полевого транзистора (рисунок 3) построить передаточную (стокозатворную) характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе:

μ;R_i ; S=f (U_ЗИ).

Задача 4:Решить задачу из задания согласно варианту.

Задача 5:Решить задачу из задания согласно варианту. Получить минимальную функцию и построить функциональную схему для реализации логической функции четырех переменных, заданной в таблице 3.

Таблица

Номера заданий, задач
Номер варианта

Пример решения задачи 1.

Дано: транзистор КТ315А, напряжение питания Е_К = 15В, сопротивление нагрузки R_Н=500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I_БО =350 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I_БМ =150 мкА.

Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1.Нагрузочная линия соответствует графику уравнения U_КЭ+I_R R_Н=Е_К. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при U_кэ=0 соответствует точке I_К = E_К /R_Н. Абсцисса при I_К=0 соответствует точке U_КЭ=Е_К. Соединение этих координатах и является построением нагрузочной линии.

В нашем случае координаты нагрузочной линии I_К=15/500=30 мА и U_К=15 В. Соединяя эти точки, получаем линию нагрузки.

Пересечение нагрузочной линии с заданным значением тока базы I_Б определяет рабочую точку (РТ) транзисторного каскада, нагруженного на резистор. В нашем случае рабочая тока соответствует пересечению нагрузочной прямой с характеристикой при I_Б=350 мкА.

Если в семействе выходных характеристик отсутствует требуемая характеристика (в нашем случае I_Б = 350 мкА), её следует самостоятельно построить между характеристиками с ближайшими значениями тока базы (на рисунке пунктирная линия).

Рисунок 1.1.

Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U_КЭ0 и I_К0. Определяем параметры режима по постоянному току I _КЭ0=19,2 мА и

=5,45 В.

На входных характеристиках (рисунок 1.2) рабочую точку определяем как точку пересечения ординаты соответствующей току I_К0=350 мкА характеристики при U_КЭ=10 В (РТ). Хотя в рабочей точке на выходных характеристиках U_КЭ≠10В, входные характеристики в активном режиме практически совпадают и можно воспользоваться характеристикой для U_КЭ=10 В. Определяем U_БЭ0=0,745 В.

По данному изменению синусоидального тока базы с амплитудой I_БМ определяем графически амплитуды токов и напряжений на электродах транзистора. Построим временные диаграммы переменного тока коллектора, напряжения коллектора и базы для случая синусоидального входного тока с амплитудой I_БМ=150 мкА. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на базе и коллекторе противофазные. После построения временных диаграмм необходимо оценить, имеются ли заметные искажения в выходной цепи транзистора или нет.

Рисунок 1.2

Из временных диаграмм видно, что под воздействием переменного входного тока на выходных характеристиках двигается вдоль линии нагрузки. Если рабочая точка какую-либо часть периода входного тока попадает в область насыщения или отсечки сигнала, необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора.

Дальнейшие расчеты производятся только для активного режима работы прибора, называемого линейным или неискажающим.

При нахождении из графиков величин I_КМ, U_КМ, U_БМ следует обратить внимание, что амплитудные значения для положительных и отрицательных полуволн сигнала могут быть неодинаковыми, а значит, усиление большого сигнала в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.

Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяется как среднее за период.

По выходным статическим характеристикам (рисунок 1.1) находим положительные и отрицательные амплитуды токов и напряжений = 8 мА и = 8 мА, а также = 3,85 В и = 4,15 В. Затем определяем среднее значение амплитуд:

мА,

.

По входным характеристикам находим и

.

Затем определяем коэффициенты усиления:

по току:

по напряжению:

по мощности: .

Находим

Определяем мощности.

Полезная мощность:

P= .

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

P_KO=U_КЭО I_КО=5,45 19,2 10^-3=104,6 мВт.

Потребляемая мощность:

P_П =Е_КЭ I_КО=15 19,2 10^-3=288 мВт.

Коэффициент полезного действия каскада:

.

Пример решения задачи 2.

Определим Н-параметры биполярного транзистора КТ 315А, рабочая точка: I_БО= 350 мкА; U_КЭО=5,45 В.

При любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника, на входе которого действует напряжение u₁ и протекает ток i₁, а на входе – напряжение u₂ и ток i₂.

Рис.2.1. Схема транзистора, представленного в виде активного четырехполюсника.

Для транзисторов чаще всего используются h – параметры, так как они наиболее удобны для измерений. Система уравнений, показывающая связь напряжений и токов с h - параметрами, имеет вид:

В систему h - параметров входят следующие величины.

Входное сопротивление

при или ,

представляет собой сопротивление транзистора между входными зажимами для переменного входного тока при коротком замыкании на входе, т.е. при отсутствии выходного переменного напряжения. А если бы на выходе было переменное напряжение, то оно за счет обратной связи, существующей в транзисторе, влияло бы на входной ток. В результате входное сопротивление получалось бы различным в зависимости от переменного напряжения на выходе, которое, в свою очередь, зависит от сопротивления нагрузки R. Но параметр h₁₁ должен характеризовать сам транзистор, и поэтому он определяется при U₂ = const, т.е. при R_Н = 0.

Параметр h_11Э определим следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.2) зададимся приращением тока базы Δ I_Б= 50= =100мкА относительно рабочей точки I_БО=350 мкА. Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит ΔU_БЭ1=0,018 В. Входное сопротивление:

Ом

Коэффициент обратной связи по напряжению:

при или ,

показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие наличия в нем внутренней обратной связи.

Условие I ₁= const подчеркивает, что входная цепь разомкнута для переменного тока.

Параметр h_12Э определим по входным характеристикам. При постоянстве тока базы (I_БО = 350 мкА) найдем приращение напряжения база-эмиттер: ΔU_БЭ2=0,035 В. Тогда коэффициент обратной связи по напряжению составит:

Рисунок 2.2

Коэффициент усиления по току (коэффициент передачи тока):

при или ,

показывает усиление тока транзистором в режиме работы без нагрузки.

Условие U₂ = const, т.е. R_Н =0, здесь задается для того, чтобы изменение выходного тока I₂ зависело только от изменения входного тока I₁. Если бы выходное напряжение менялось, то оно влияло бы на выходной ток, и по изменению этого тока уже нельзя было бы правильно оценить усилие.

По выходным характеристикам определим параметр h_21Э (рисунок 2.3).

Зададимся приращением тока базы относительно рабочей точки ΔI_Б =100 мкА, соответствующее приращение тока коллектора составит ΔI_К1=5,6 мА.

Коэффициент передачи тока базы:

.

Рисунок 2.3

Выходная проводимость:

при или ,

представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора. Если ток I₁ не будет постоянным, то его изменения вызовут изменения тока I₂ и значение h₂₂, будет определено неправильно.

Величина h₂₂ измеряется в сименсах (См).

Выходную проводимость определим по выходным характеристикам. Около рабочей точки зададимся приращением напряжения коллектор-эмиттер: ΔU_КЭ=4В. Соответствующее приращение тока коллектора составит

ΔI_К2=1 мА. Выходная проводимость:

См

H – параметры транзистора позволяют достаточно просто создать его схему замещения, в которой присутствуют только резисторы, управляемые источник напряжения и источник тока.

Рис.2.4. Эквивалентная схема транзистора с использованием

h – параметров.

Пример решения задания 3.

Пусть дан полевой транзистор типа КП103, напряжение сток-исток Даны выходные характеристики(рисунок 3.1). Для построения стокозатворной характеристики (прямой передачи) определим ток стока при и т.д.

Рисунок 3.1

Результаты заносим в таблицу 3.1

Таблица 3.1

UЗИ,В		0,5	1,0	1,5	2,0	2,5	3,0
IС, мА	4,08	3,13	2,31	1,6	1,05	0,61	0,3

По полученным результатам строим характеристику прямой передачи – стокозатворную характеристику (рисунок 3.2)

Рисунок 3.2

Определяем крутизну и строим ее зависимость от напряжения на затворе. Сначала найдем крутизну при напряжении на затворе U_ЗИ=0,25 В.

Определяем токи I_С1=4,08 мА и I_С2=3,13 мА при напряжениях U_ЗИ1=0 В и U_ЗИ2=0,5 В, соответственно (рисунок 3.1). Затем вычисляем крутизну характеристику передачи:

мА/В

Аналогично проделываем эту операцию при U_ЗИ=0,75 В; 1.25 В; 1,75В и т.д. Результаты вычислений заносим в таблицу 3.2 и построим зависимость S=f (U_ЗИ) (рисунок 3.4).

Таблица 3.2

UЗИ, В	0,25	0,75	1,25	1,75	2,25	2,75
S, мА/В	1,9	1,64	1,42	1,1	0,88	0,62

Для определения дифференциального сопротивления стока R_С, задаемся приращением напряжения U_CИ= 2 В относительно напряжения U_СИО=6 В (рисунок 3.3).

Определяем приращение тока стока при напряжении на затворе U_ЗИ= 0 В. Вычисляем значение сопротивления стока:

R_C= кОм

Аналогичным образом определяем сопротивление R_C при U_СИ =0,5 В; 1 В и т.д.

Рисунок 3.3

Таблица 3.3

Uзи,В		0,5		1,5		2,5
∆Ic,мА	0,14	0,1	0,7	0,6	0,5	0,045	0,04
Rc,кОм		39,2	54,8	65,6		88,9
S,мА/В		1,75	1,5	1,25		0,75	0,5
µ		68,5	82,2			66,6

Результаты заносим в таблицу 3.3.

Построим зависимость R_С=f (U_ЗИ) (рисунок 3.4).

Рисунок 3.4.

По графику на рисунке 3.4 определяем значения крутизны S для тех же величин что и R_C. Результаты также занесем в таблицу 3.3.

Определяем коэффициент усиления транзистора по формуле: μ=S R.

Результат также заносим в таблицу 3.3 и строим зависимость μ =f(U_ЗИ).

Пример решения задачи 5.

Получить минимальную форму и построить функциональную схему для реализации логической функции четырех переменных:

Номер конституенты

-

-

Для построения принципиальной схемы использовать логические элементы.

Решение.

1. Представляем заданную функцию в виде таблицы:

А	В	С	D	F
				-
				-

2.Наносим функцию на диаграмму Вейча.

2. Выполняем накрытие всех единичных значений.

3. Используя правила алгебры-логики, записываем результат накрытий:

4. Реализуем функцию в виде логической схемы:

Исходные данные:

Таблица 1

вариант	Тип БТ	ЕК, В	RН, Ом	IБО,мкА	IБМ, мкА
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	KN603a
	КТ605а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а

Таблица 2

Вариант	Тип ПТ	UСИО, В	UЗИО, В
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К	8,5
	КП 903 А
	КП 103 К	10,5
	КП 903 А
	КП 103 К	9,5
	КП 903 А	14,5
	КП 103 К	7,5
	КП 903 А
	КП 103 К	11,5
	КП 903 А	17,5

Таблица 3

№ варианта

Номер конституенты

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Характеристики транзисторов:

Рис. 1а. Выходные характеристики транзистора.

Рис. 1б. Входные характеристики транзистора.

Рис. 2а. Выходные характеристики транзистора.

Рис. 2а. Входные характеристики транзистора.

Рис. 3.а. Выходные характеристики транзистора КП 903 А.

Рис. 3.б. Выходные характеристики транзистора КП 103 А.

Задание 4.

1. Диод, у которого при прямом напряжении 0,8 В максимально допус­тимый ток равен 100 мА, соединен последовательно с резистором нагрузки Каково наибольшее значение напряжение источника, при котором диод будет работать в безопасном режиме?

2. Кремниевый стабилитрон подключен по схеме (рис. 4), где . Данные стабилитрона

Найти , если изменяется от до Опреде­лить будет ли обеспечена стабилизация во всём диапазоне изменения .

3. Стабилитрон в схеме стабилизатора напряжения включаем параллельно с резистором Найти сопротивление ограничительного ре­зистора , если входное напряжение меняется в пределах до . Определить, будет ли обеспечена стабилизация во всем диа­пазоне входного напряжения. Параметры стабилитрона

4. Транзистор типа р-п-р включен по схеме с ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если

a)

б)

в)

5. В биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы ток коллектора Определить коэффициенты передачи тока эмиттера и , если током можно пренебречь.

6. Транзистор, имеющий β=100, включен по схеме с общим эмиттером. Определить ток базы, ток эмиттера, коэффициент передачи тока эмиттера , если ток коллектора а начальным током коллектора можно пренебречь.

7. К цепи, состоящей из последовательно соединенных диода VD и ре­зистора приложено напряжение (рис. 5). Определить ток в цепи и падения напряжений на её элементах. ВАХ диода в увеличенном масштабе нелинейного участка её прямой ветви и решение методом пересе­чения характеристик приведены на рис. 5,а и 5,б.

8. Определить, как изменится рабочий режим цепи на рис. 5,б в случае увеличения в 2 раза ( ~ 300 Ом).

9. Определить, как изменится рабочий режим цепи на рис. 5,а,б при ус­ловии увеличения напряжения питания с 5 В до 7 В.

10. Для схемы на рис. 6,а определить входное напряжение, обеспечи­вающее получение выходного напряжения Параметры схемы:

Транзистор КТ830А. Коэффициент передачи тока . Входные и выходные характеристики транзистора приведены на рис. 6, а, б, в.

11. Для условий примера 10 найти диапазон изменения входного на­пряжения, соответствующей работе транзистора в активном режиме.

12. На входе цепи на рис. 5,а действует напряжение . Для параметров, заданных в примере 7, определить ток цепи.

13. На входе цепи на рис. 5,а действует входное напряжение Для параметров цепи, заданных в примере 12, определить ток цепи (при решении можно использовать рис. 5,в)

14. На входе схемы на рис.6 действует напряжение . Для параметров схемы примера 10 определить и .

Рис.4.

а)

б)

в)

Рис. 5.

а)

б)

в)

Рис 6.

Вопросы по дисциплине «Электротехника и электроника»

Часть 2.

1. Общие сведения из теории полупроводников. Основные положения теории электропроводности.

2. Электронно-дырочный переход (процессы при прямом и обратном включении р-п перехода).

3. Чем определятся объёмный заряд и потенциальный барьер в полупроводниках?

4. Полупроводниковые диоды (классификация, характеристики, параметры).

5. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.

6. Схем включения биполярного транзистора, их свойства.

7. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора. Н -параметры, схема замещения.

8. Коэффициент передачи тока при включении биполярного транзистора по схеме с ОЭ, ОБ, ОК.

9. Какая из схем включения биполярного транзистора обеспечивает максимальное усиление по мощности?

10. Полевой транзистор. Устройство, принцип действия, разновидности.

11. Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом, характеристики.

12. МДП-транзисторы, принцип действия, характеристики.

13. Тиристоры. Устройство, принцип действия.

14. Неуправляемые выпрямители (назначение, основные особенности, работа на примере однополупериодной схемы).

15. Неуправляемые выпрямители (назначение, основные особенности, работа на примере мостовой схемы)

16.Стабилизаторы. Общие сведения. Основные сведения.

17.Параметрический стабилизатор напряжения.

18.Компенсационный стабилизатор напряжения.

19.Общие сведения об усилителях, классификация усилителей, структурная схема.

Анализ работы усилительного каскада на примере схемы с ОЭ.

20.Температурная стабилизация каскада усиления на примере с ОЭ.

21.Режимы работы усилительных каскадов.

22.Обратные связи в усилителях (определение, назначение виды ОС).

23.Усилители постоянного тока (УПТ).

24.Дифференциальные усилители (ДУ).

25.Операционные усилители (ОУ) (общие сведения, назначение, обозначение, основные параметры).

26.Обратные связи в операционных усилителях, инвертирующий и неинвертирующий ОУ.

27.Электронный ключ на биполярном транзисторе.

28.Электронные схемы, реализующие логические операции И, ИЛИ, НЕ.

29.Триггеры на цифровых интегральных схемах. Назначение, классификация. 30.Цифровые счетчики импульсов.

32. Микропроцессы (МП). Состав и структура микропроцессорной системы.

Дата добавления: 2015-05-06