КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Cтабилитрон и стабистор
Введение
Стабилитрон - это прибор с двумя внешними выводами, то есть диод, напряжение на котором в рабочем режиме слабо зависит от протекающего через него тока и который используется для стабилизации напряжения. Существуют две основные разновидности стабилитронов - газоразрядные и полупроводниковые. Последние, обладающие большей надежностью, меньшими габаритами и стоимостью, а также совместимостью с базовыми технологиями кремниевых микросхем, почти полностью вытеснили первые. В кремниевых стабилизаторах используются два физических явления для стабилизации напряжения. Первое явление - нелинейность вольтамперной характеристики невырожденного p-n перехода при прямом включении. В этом случае величина напряжения стабилизации невелика, определяется в первую очередь контактной разностью потенциалов p-n-перехода и уменьшается с повышением температуры стабилитрона. Кремниевый стабилитрон, работающий при прямом включении, часто называют стабистором. Второе явление - нелинейность вольтамперной характеристики невырожденного обратносмещенного p-n-перехода в режиме электрического пробоя. При этом величина напряжения пробоя регулируется толщиной p-n-перехода - чем больше толщина перехода, тем больше напряжение пробоя (то есть напряжение стабилизации). В этом случае влияние температуры стабилитрона на напряжение стабилизации определяется типом электрического пробоя. При относительно тонком p-n-переходе (то есть переходе, пробой которого наступает при малых обратных напряжениях) определяющим оказывается туннельный пробой. В этом случае с повышением температуры стабилитрона напряжение стабилизации уменьшается. При толстом p-n-переходе (то есть переходе, пробой которого наступает при больших обратных напряжениях) основную роль играет лавинный пробой, что ведет к тому, что с повышением температуры стабилитрона напряжение стабилизации увеличивается. Стабилитроны и стабисторы широко распространены как в интегральном, так и в дискретном исполнении. В лабораторной работе исследуются два дискретных кремниевых стабилитрона при прямом и обратном включениях.
3.1. Цель работы
Научиться определять статические и дифференциальные параметры стабилитрона и стабистора.
3.2. Задачи
Для достижения поставленной цели вам необходимо решить следующие задачи: - ознакомиться со справочными данными испытуемых стабилитронов и стабистора; - провести измерения и построить статические вольтамперные характеристики (ВАХ) стабилитронов и стабистора при различных температурах; - рассчитать дифференциальные параметры стабилитронов и стабистора.
3.3. Порядок работы и методы решения задач
3.3.1. Из справочника /1/ выпишите кратко основные электрические параметры исследуемых стабилитронов и стабистора, начертите их условное графическое обозначение, эскиз внешнего вида. Расшифруйте маркировку. 3.3.2. С помощью лабораторного макета, передняя панель которого с элементами управления и контроля режимов стабилитрона показана на рисунке 3.1, проведите измерения статических вольтамперных характеристик (ВАХ) стабилитронов и стабистора /2, раздел 11-9; 3, раздел 3.3; 4, раздел 3.25/. Перед включением измерительных приборов лабораторного макета в сеть, не забудьте проверить наличие заземления корпусов приборов. Измерение статических ВАХ с помощью лабораторного макета производится по точкам, методом вольтметра-амперметра. Принципиальная электрическая схема блока задания режимов стабилитронов показана на рисунке 3.2. При измерении статических ВАХ стабилитрона необходимо задавать различные значения тока при его обратном смещении и измерять соответствующие им напряжения на стабилитроне. Ток стабилитрона меняйте от нуля до -30 мА. При измерении статических ВАХ стабистора, также задавайте различные значения тока, но уже при его прямом смещении и измеряйте соответствующие им напряжения на стабисторе. Ток стабистора меняйте от нуля до +30 мА. Измерения статических ВАХ стабилитронов и стабистора полностью повторите при температуре 60°С. Используя результаты полученных измерений, постройте статические ВАХ отдельно для каждого стабилитрона и стабистора, нанеся на графики ВАХ, измеренные при двух температурах. 3.3.3. По статическим ВАХ определите статические параметры стабилитронов и стабистора и укажите их на графиках /2, раздел 11-9; 3, раздел 3.3; 4, раздел 3.25/: - напряжение стабилизации Uст; - ток стабилизации Iст; - минимальный ток стабилизации Iст.min. 3.3.4. На основе построенных статических ВАХ рассчитайте дифференциальные параметры стабилитронов и стабистора /2, раздел 11-9; 3, раздел 3.3; 4, раздел 3.25/ методом графического дифференцирования: - дифференциальное сопротивление rст; - температурный коэффициент напряжения стабилизации aст. С целью сравнения качества приборов, дифференциальные параметры стабилитронов и стабистора рассчитайте при одном и том же значении тока стабилизации, например, 10 мА. Отчет о работе должен содержать результаты изучения, измерений и вычислений по всем пунктам задания. Для успешной защиты выполненной работы вы должны уметь объяснить ход статических ВАХ стабилитрона и стабистора, уметь определять статические и дифференциальные параметры этих приборов, уметь оценить качество стабилитронов различных типов.
Библиографический список
1 Баюков А.В. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник. - М.: Энергоиздат, 1982. - 744 с. 2 Дулин В.Н. Электронные приборы: Учебник. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1977. - 424 с. 3 Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1980. - 383 с. 4 Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы: Учебник. - 3-е изд., переработ. и доп. - М.: Высш. шк., 1981. - 431 с.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1277; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |