Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

МДП-полевой транзистор с индуцированным каналом п-типа




Приведенная на рисунке 9.1 структура МДП-полевого транзистора соответствует транзистору с индуцированным каналом. Между стоком и затвором канал в этом транзисторе отсутствует. Поэтому, если даже приложит между стоком и затвором напряжение VСИ > 0 (рис. 9.4, а), то при VЗИ = 0 ток стока будет практически

а) б)

 

Рис. 9.4. Структура МДП транзисторов с индуцированными каналами п -типа (а) и р-типа (б) и их электрическая схема включения.

отсутствовать, так как на пути тока у стоковой области создается обратно включенный р-п переход. Если теперь приложить напряжение VЗИ > 0, то под действием электрического поля затвора к приповерхностной области полупроводника под диэлектриком затвора начинают втягиваться из глубины полупроводника неосновные носители заряда – электроны. С ростом напряжения VЗИ при его значении VЗИ = VЗИпор происходит инверсия проводимости: в приповерхностной области затвора проводимость полупроводника из р -типа становится п -типа проводимости. Таким образом, между стоком и истоком индуцируется канал (на рисунке 9.4 граница индуцированного канала с подложкой обозначен штриховой линией) и в цепи стока потечет ток истока IC, обусловленный дрейфовым движением электронов от истока к стоку.

Из общих рассуждений следует, что ток стока зависит как от напряжения на затворе VЗИ, так и от напряжения на стоке VСИ. Отсюда следует, что работа этого транзистора как и транзистора с управляющим р-п переходом, будет описываться двумя семействами характеристик: стоко-затворной при и выходной при .

На рисунке 9.5, а представлены стоко-затворные (передаточные) и на рисунке 9.5, б – выходные вольтамперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом п -типа. Как видно из рисунка 9.5, а при VЗИ > VЗИпор ток стока растет, что обусловлен обогащением канала транзистора с ростом VЗИ неосновными носителями тока и увеличением его проводимости. Рост напряжения VСИ смещает характеристику вправо в сторону увеличения тока стока.

Выходные характеристики (рис. 9.5, б) аналогичны характеристикам полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. При малых напряжениях VСИ ток стока практически линейно растет с ростом VСИ - имеем омический участок. Однако при некотором VСИ = VСИгр наступает участок насыщения тока стока. Как и в случае полевых транзисторов с управляющим р-п переходом,

а) б)

Рис.9.5. Статические стоко-затворные (а) и выходные (стоковые) (б) характеристики МДП полевого транзистора с индуцированным каналом п -типа.

 

насыщение тока стока обусловлено сужением и дальнейшим перекрытием канала в стоковом конце за счет расширения р-п перехода в область канала. Действительно, за счет протекания тока стока вдоль канала создается распределенное падение напряжения V(x), которое максимально в стоковом конце и равно VСИ. Это напряжение, суммируясь с напряжением VЗИ, смещает р-п переход в обратном направлении, что и сужает ширину канала. Механизм протекания тока стока через перекрытый канал в стоковом конце практически такой же, как и в полевых транзисторов с управляющим р-п переходом (см.раздел 8.2).

В случае МДП-транзистора с индуцированным каналом р -типа (рис. 9.4, б) имеем аналогичные физические процессы и статические вольтамперные характеристики, только меняются термины электроны на дырки и наоборот, а также меняются полярности приложенных напряжений на электродах и направление тока стока.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1112; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.