Стабилитроны

Стабилитронами называют полупроводниковые диоды, использующие особенность обратной ветви вольтамперной характеристики на участке пробоя изменяться в широком диапазоне изменения токов при сравнительно небольшом отклонении напряжения. Это свойство широко используется при создании специальных устройств – стабилизаторов напряжения
Рис. 2.19. Конструкция корпуса (а), вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона

Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры.

Дифференциальное сопротивление стабилитрона r_ст – дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации, т. е.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации – отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации:

;

Варикап –полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др.

Обозначение варикапа на схемах.

Общая ёмкость — ёмкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении.

Коэффициент перекрытия по ёмкости — отношение ёмкостей при двух заданных значениях обратного напряжения на варикапе.

Добротность — отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении ёмкости или обратного напряжения.

Постоянный обратный ток — постоянный ток, протекающий через варикап при заданном обратном напряжении.

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.

Максимально допустимая рассеиваемая мощность.

16.Туннельный диод – это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.

Для изготовления туннельных диодов используют полупроводниковый материал с очень высокой концентрацией примесей , вследствие чего получается малая толщина p-n-перехода (около ), что на два порядка меньше, чем в других полупроводниковых диодах, и сквозь тонкий потенциальный барьер возможно туннелирование свободных носителей заряда.
Рис. 2.13. Туннельный диод 1И104:
а – вольт-амперная характеристика при прямом смещении; б – конструктивное исполнение; в – условное графическое изображение импульсных диодов

Параметрами туннельных диодов являются:

Пиковый ток I_П – значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики;

Ток впадины I_B – значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики;

Напряжение пика U_П – значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току;

Напряжение впадины U_B – значение прямого напряжения, соответствующее току впадины;

Напряжение раствора U_PP – значение прямого напряжения на второй восходящей ветви, при котором ток равен пиковому току.

Диод Ганна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) тип полупроводниковых диодов, использующийся для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. В отличие от других типов диодов, принцип действия диода Ганна основан не на свойствах p-n-переходов, т.е. все его свойства определяются не эффектами, которые возникают в местах соединения двух различных полупроводников, а собственными свойствами применяемого полупроводникового материала.

Дата добавления: 2015-05-06