КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Time 0:00:00. Эпитаксия – это технологический процесс
|
|
|
|
Type 1
Score 1
Theme 6
Эпитаксия – это технологический процесс
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, как правило, является
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Time 0:00:00
Type 1
Score 1
Theme 6
Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых используются
Time 0:00:00
Type 2
Score 2
Theme 6
Гибридными называют микросхемы, в которых используются
Time 0:00:00
Type 2
Score 3
+
тонкие и толстые пленки
+
пассивные и активные элементы
+
пленочные элементы и навесные компоненты
-
полупроводниковые подложки
+
диэлектрические подложки
-
элементы, выполненные в глубине подложки на основе структур транзисторов
-
тонкие и толстые пленки
+
пассивные и активные элементы
-
пленочные элементы и навесные компоненты
+
полупроводниковые подложки
-
диэлектрические подложки
+
элементы, выполненные в глубине подложки на основе структур транзисторов
Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема,...
+
в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника
-
пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными
-
пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла
Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема, …
-
в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника
-
пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными
|
|
|
+
пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла
Гибридная интегральная микросхема – это микросхема, …
-
в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника
+
пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными
-
пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла
По видуобрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на
+
аналоговые и цифровые
-
усилительные и импульсные
-
генераторные и логические
+
кремний
-
германий
-
арсенид галлия
-
керамика
+
наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку
-
внедрения примесей в полупроводниковый материал
-
искусственного окисления кремния
Методом вакуумного испарения в присутствии кислорода
-
наращивают монокристаллические слои на полупроводниковую подложку
+
окисляют кремний с целью получения пленки двуокиси кремния
-
вводят необходимые примеси в монокристаллический полупроводник
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 595; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!