Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Пробой p- n- перехода




ВАХ p- n- переход и диода

 

ВАХ идеального p- n - перехода:

Под идеальным p- n - переходом понимают бесконечно тонкий p- n - переход, занимающий весь монокристалл (нет периферийных областей)

Полупроводниковые диоды- это полупроводниковые приборы, выполненные на основе монокристалла полупроводника с несимметричным p- n переходом, снабженные контактами для соединения с внешней цепью и помещенные в защитный корпус.

При изготовлении в одну область добавили больше примесей, чем в другие. Область с более высокой концентрацией примеси называется эмиттером, с меньшей - базой.

Переход образуется в основном за счет тела базы.

Rтела базы>>Rтела эмиттера

Представим реальный диод схемой замещения с идеальным p- n- переходом

 

Up-n = Uпр - I1 (rэ + RБ), Uпр=U1, I1 (rэ + RБ)=∆U

↑Uобр=>↑P=UобрIобр;(↑Uобр)=> ↑tє=>↑ННЗ (т.к. поле ускоряющее)=>↑IБ=>↑Iобр

 

Если не предусмотрено мер по отводу тепла от p- n- перехода, то ↑Uобр приводит к тепловому пробою p - n - перехода. Тепловой пробой выводит диод из строя.

Пробой - лавинообразное увеличение Iобр при незначительном приращении ∆Uобр.(кривая 1).

Различают также электрический пробой (кривая 2 и 3). Это явление используется для построения спец. приборов.

Электрический пробой бывает 2-х видов: лавинный и тунельный.

Лавинный пробой: увеличение концентрации СНЗ за счет ударной ионизации нейтральных атомов собственного полупроводника.

Наблюдается в сравнительно широких p- n - переходах. Под действием большой напряженности поля ННЗ движутся сравнительно долго и за это время успевают получить приращение энергии, достаточное для того, чтобы один ННЗ привел при ионизации к созданию двух или более.

Тунельный пробой: возникает в очень узких переходах при очень высокой напряженности поля.

Поле способно вырвать электрон из ковалентной связи. Но значительного приращения энергии он не успеет получить и будет перенесен в другую область.

Резко различить тунельный и лавинный пробой трудно.

Диоды создаются для выполнения различных функций и, соответственно, имеют особенности в параметрах, в характеристиках, имеют специальные схемные обозначения.

Каждый диод имеет специальную маркировку. Используя ее по справочнику можно получить сведения о назначении,параметрах и технических характеристиках конкретного диода.

Д2 выпрямительные, смесительные   Д3 импульсные, детекторные   Д4 варикап – диод используемый как емкость, изменяемая напряжением     Д41 стабилитрон (для стабилизациии U)




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 541; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.