КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Тема 2.2. Транзисторы
Биполярные транзисторы: принцип работы, устройство, условные графические обозначения. Режимы работы: активный, отсечки, насыщения, инверсный. Схемы включения: с общей базой, с общим эмиттером, с общим коллектором, сравнительная характеристика. Основные параметры, статические характеристики. Транзистор как линейный четырехполюсник, применяемые системы Полевые транзисторы: определение, классификация, условные графические обозначения. Полевой транзистор с управляемым p-n -переходом: устройство, принцип работы, статические характеристики, режимы работы. Полевые транзисторы с изолированным затвором, со встроенным и индуцированным каналами. Устройство, принцип работы, схемы включения, статические характеристики, основные параметры.
Изучать принцип работы биполярных транзисторов удобно на примере активного режима при нормальном включении напряжения на переходах (эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт). Тип транзистора принципиального значения не имеет. Усиливаемый сигнал поступает на входную (управляющую) цепь транзистора, а усиливаемый сигнал выделяется на сопротивлении нагрузки, включенном в его выходную цепь, проводимость которой меняется в соответствии с управляющим сигналом. Сущность усиления состоитв том, что мощность выходного сигнала превышает мощность, затраченную на входе транзистора. Очень важно понять, что в биполярном транзисторе управляющим сигналом является ток в цепи входного электрода, а в полевых – поле (напряжение) между входным и, как правило, общим электродом. Управляемый ток в биполярных транзисторах образован как основными, так и неосновными носителями заряда, а в полевом транзисторе он обусловлен движением основных носителей заряда для данного типа полупроводника. Принцип управления током стока в полевых транзисторах заключается в том, что, изменяя напряжение на затворе, можно регулировать проводимость канала. Отличительной особенностью МДП-транзисторов является большое входное сопротивление (R вх > 109 Ом), что позволяет управлять мощными цепями с помощью маломощных источников сигнала. Вопросы для самоконтроля 1. Изобразите структуру биполярных транзисторов с разным типом проводимости, УГО в схемах и объясните принцип его работы. 2. Нарисуйте схемы включения биполярных транзисторов типа n-p-n 3. Дайте сравнительную оценку схем включения биполярного транзистора 4. Укажите направления протекания токов в активном режиме во входной 5. Назовите и поясните собственные параметры биполярных транзисторов. 6. Приведите h -параметров биполярного транзистора, как они определяются по его статическим ВАХ. 7. Нарисуйте и поясните входные и выходные ВАХ биполярного транзистора для разных схем включения. 8. Почему полевые транзисторы с управляющим p-n -переходом не должны работать при прямом напряжении на входе (затворе)? 9. Будет ли одинаковым выходное сопротивление полевого транзистора 10. Объясните, почему входное сопротивление полевого транзистора со встроенным каналом остается большим при любой полярности входного напряжения? 11. Объясните, почему МДП-транзистор с индуцированным каналом не может работать в режиме обеднения?
[ 1, с. 73–115; 2, c. 42–60; 3, c. 54–111].
Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 367; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |