Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Называть р — n-переходом или электронно-дырочным переходом. Р — n-переход практически составляет доли микрона

Читайте также:
  1. II. МАТЕРИАЛЫ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ
  2. II. Практические занятия
  3. III. УЧЕБНО_МЕТОДИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ЛЕКЦИОННОГО КУРСА И ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ 1 страница
  4. III. УЧЕБНО_МЕТОДИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ЛЕКЦИОННОГО КУРСА И ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ 2 страница
  5. III. УЧЕБНО_МЕТОДИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ЛЕКЦИОННОГО КУРСА И ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ 3 страница
  6. IV.Тексты практических заданий
  7. P-n-переход
  8. V СЕМИНАРСКИЕ (ПРАКТИЧЕСКИЕ) ЗАНЯТИЯ
  9. VII. ПЛАНЫ СЕМИНАРСКИХ И ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ
  10. А367.Максимальный срок действия доверенности в соответствии со ст. 186 ГК РФ составляет
  11. Аудиторные занятия (лекции, лабораторные, практические, семинарские)
  12. Весь курс обучения составляет 216 учебных часов, из них по



Таким образом, на границе двух полупроводников образуется слой, обедненный носителями зарядов (электронами и дырками), который обладает повышенным сопротивлением. Этот слой принято

Предположим, что к рассмотренным полупроводникам подклю­чен источник электрической энергии так, что к области р-проводимости присоединен отрицательный полюс источника, а к области n-проводимости —положительный полюс (рис. 210,а). В этом слу­чае под влиянием поля внешнего напряжения электроны и дырки будут в большом количестве соответственно отталкиваться в глубь

полупроводников. Р — n-переход увеличится, его сопротивление возрастет и в цепи полупроводникового диода электрического тока практически не будет. Однако незначительному количеству неосновных носителей зарядов (положительных) из n-области и (отрицательных) из р-области, имеющих большие скорости, удастся проскочить р — n-переход и в цепи будет протекать весьма неболь­шой ток, называемый обратным током.

Изменим полярность источника электрической энергии, подклю­ченного к диоду (рис. 210, б). Теперь электроны «-области и дырки

р-области будут взаимно притяги­ваться и перемещаться к границе этих полупроводников. Р — n-пере­ход сужается, его сопротивление рез­ко уменьшается и создаются условия для перехода большого количества электронов из «-области в р-область, а следовательно, для перехода ды­рок в противоположном направле­нии. При таком включении полупро­водникового диода в цепи появится значительный электрический ток, но­сящий название прямого тока.

Сила прямого тока в полупровод­никах зависит от величины прило­женного к ним напряжения.

Из описания процесса, происходящего на границе двух полупро­водников с различной по знаку проводимостью, следует, что они обладают, как и электронная лампа — диод, односторонней прово­димостью. Это значит, что при одном направлении электрического поля, создаваемого приложенным к полупроводникам прямым на­пряжением, диод пропускает ток и сопротивление его мало, а при обратном направлении этого поля, создаваемого приложенным к полупроводникам обратным напряжением, сопротивление диода велико, а ток в его цепи весьма мал.

На рис. 211 показана типичная характеристика германиевого диода. Для большей наглядности кривая прямого тока (правая часть графика) и кривая обратного тока (левая часть графика) построены в различных масштабах.

Из графика видно, что при напряжении 1 в на зажимах герма­ниевого диода в его цепи проходит большой ток, зато при напря­жении даже минус 10, 20, 30 и 40 в диод практически не пропускает





Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 50; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2017) год. Не является автором материалов, а предоставляет студентам возможность бесплатного обучения и использования! Последнее добавление ip: 54.158.21.160
Генерация страницы за: 0.01 сек.