КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Расчетно-графическая работа № 1
по дисциплине «Электроника»
Выполнил: ст.гр. БАУ-11-7 Нуржауова Р.Б. № зачетной книжки:11151 Проверил: Жолшараева Т.М.
Алматы 2012
Задача №1 Концентрация донорной примеси составляет Nд = 2∙1015 атом/см3, акцепторной примеси – Nа = 2∙1018 атом/см3, собственная концентрация носителей в полупроводнике - ni=4∙1014. Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при заданной температуре Т= 21 оС
Дано: Nд = 2∙1015 атом/см3 Nа = 2∙1018 атом/см3 ni=4∙1014 Т= 21 оС = 294 К q = Кл k = Дж/к Найти:
Решение: Воспользуемся соотношением: ; где - температурный потенциал; NА и NД – концентрация акцепторной и донорной примесей соответственно; ni – собственная концентрация. Найдем контактную разность потенциалов:
В.
Ответ: =0,27В.
Задача №2 Обратный ток диода при Т=300 К равен I0=1,5 мкА. Определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении Uпр=100 мВ.
Дано: Т=300 К I0=1,5 мкА Uпр=100 мВ q = Кл k = Дж/к Найти: R0; rдиф
Решение: Найдем ток диода при прямом напряжении по формуле: ; где А Сопротивление диода постоянному току: Ом. Дифференциальное сопротивление при прямом напряжении: Ом. т.к. ток > , значит (I) > () = = =0,356Ом.
Ответ: R0=1,38Ом; rдиф=0,356Ом.
Задача №3 Полупроводниковый диод имеет прямой ток Iпр=0,07А. при прямом напряжении Uпр.=0,4В и температуре Т=32 оС. Определить обратный ток I0, дифференциальное сопротивление rдиф. при напряжении U=U1 =0,2В и при U = 0.
Дано: Iпр=0,07А Uпр.=0,4В Т=305К U=U1 =0,2В U = 0В. q = Кл k = Дж/к Найти: I0; rдиф.
Решение: Из формулы ; = = 0,0263 В выразим Для определения при U = 0,2В, сигнала найти через переход: А. Ом. Для определения при U = 0, сигнала найти через переход: , → Ом. Ответ: I0 =0,2*10-8 А; rдиф.(0,1)=6575Ом; rдиф.(0)=0,58Ом.
Задача №4 В схеме параметрического стабилизатора напряжения сопротивление нагрузки Rн=3кОм. Данные стабилитрона: Uст =10В ‑ напряжение стабилизации, Iст.макс.=2,9мА‑ максимальный ток стабилизации, Iстмин=0,8мА‑ минимальный ток стабилизации. Входное напряжение изменяется от Uвхмин.=10В до Uвхмакс.=22В. Привести схему стабилизатора, вольтамперную характеристику стабилитрона и линию нагрузки на ней. Найти балластное сопротивление Rб. Определить будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения Uвх.
Дано: Rн=0,6кОм. Uст =8В Iст.макс. =2,5мА Iстмин =0,4мА Uвхмин.=10В Uвхмакс.=22В Схема включения Найти: Rб Решение: Балластное сопротивление: Среднее входное напряжение: В Среднее значение тока стабилизации: А Ток в нагрузке: А Балластное сопротивление: Ом Стабилизация будет обеспечена в пределах (): В В Изменение напряжения источника питания должно происходить в пределах (18,2; 19,3)В
Ответ: Rб =415м
Задача №5 Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона αн=0,02 %/ оС, напряжение стабилизации при 200С – Uст=10В. Определить каким будет его напряжение стабилизации при температуре Т=500С. Дано: αн=0,02 %/ оС Uст1=10В Т1=200С Т2=500С Найти: Uст2
Решение: Температурный коэффициент напряжения стабилизации: , где Выразим из вышеизложенных формул : В
Ответ: =10,1В
Список использованной литературы
1. Жолшараева Т.М. Микроэлектроника. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. ‑ Алматы: АИЭС, 2006. – 79 с. 2. Жолшараева Т.М. Электроника. Методические указания к выполнению расчетно-графических работ. ‑ Алматы: АИЭС, 2008. – 22 с. 3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488с. 4. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: Учебник для вузов. – М.: Высш. Шк., 2005.- 790с.
Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 1266; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |