Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Расчетно-графическая работа № 1

по дисциплине «Электроника»

 

Выполнил: ст.гр. БАУ-11-7

Нуржауова Р.Б.

№ зачетной книжки:11151

Проверил: Жолшараева Т.М.

 

Алматы 2012

 

Задача №1

Концентрация донорной примеси составляет Nд = 2∙1015 атом/см3, акцепторной примеси – Nа = 2∙1018 атом/см3, собственная концентрация носителей в полупроводнике - ni=4∙1014. Найти контактную разность потенциалов для р-n перехода при заданной температуре Т= 21 оС

 

Дано:

Nд = 2∙1015 атом/см3

Nа = 2∙1018 атом/см3

ni=4∙1014

Т= 21 оС = 294 К

q = Кл

k = Дж/к

Найти:

Решение:

Воспользуемся соотношением:

;

где - температурный потенциал;

NА и NД – концентрация акцепторной и донорной примесей соответственно;

ni – собственная концентрация.

Найдем контактную разность потенциалов:

 

В.

 

Ответ: =0,27В.

 

Задача №2

Обратный ток диода при Т=300 К равен I0=1,5 мкА. Определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при прямом напряжении Uпр=100 мВ.

 

Дано:

Т=300 К

I0=1,5 мкА

Uпр=100 мВ

q = Кл

k = Дж/к

Найти:

R0; rдиф

 

Решение:

Найдем ток диода при прямом напряжении по формуле:

; где

А

Сопротивление диода постоянному току:

Ом.

Дифференциальное сопротивление при прямом напряжении:

Ом.

т.к. ток > , значит (I) > ()

= = =0,356Ом.

 

Ответ: R0=1,38Ом;

rдиф=0,356Ом.

 

 

Задача №3

Полупроводниковый диод имеет прямой ток Iпр=0,07А. при прямом напряжении Uпр.=0,4В и температуре Т=32 оС. Определить обратный ток I0, дифференциальное сопротивление rдиф. при напряжении U=U1 =0,2В и при U = 0.

 

Дано:

Iпр=0,07А

Uпр.=0,4В

Т=305К

U=U1 =0,2В

U = 0В.

q = Кл

k = Дж/к

Найти:

I0; rдиф.

 

Решение:

Из формулы ;

= = 0,0263 В

выразим

Для определения при U = 0,2В, сигнала найти через переход:

А.

Ом.

Для определения при U = 0, сигнала найти через переход:

, → Ом.

Ответ: I0 =0,2*10-8 А;

rдиф.(0,1)=6575Ом;

rдиф.(0)=0,58Ом.

 

Задача №4

В схеме параметрического стабилизатора напряжения сопротивление нагрузки Rн=3кОм. Данные стабилитрона: Uст =10В ‑ напряжение стабилизации, Iст.макс.=2,9мА‑ максимальный ток стабилизации, Iстмин=0,8мА‑ минимальный ток стабилизации. Входное напряжение изменяется от Uвхмин.=10В до Uвхмакс.=22В. Привести схему стабилизатора, вольтамперную характеристику стабилитрона и линию нагрузки на ней. Найти балластное сопротивление Rб. Определить будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменения Uвх.

 

Дано:

Rн=0,6кОм.

Uст =8В

Iст.макс. =2,5мА

Iстмин =0,4мА

Uвхмин.=10В

Uвхмакс.=22В Схема включения

Найти: Rб

Решение:

Балластное сопротивление:

Среднее входное напряжение:

В

Среднее значение тока стабилизации:

А

Ток в нагрузке:

А

Балластное сопротивление:

Ом

Стабилизация будет обеспечена в пределах ():

В

В

Изменение напряжения источника питания должно происходить в пределах (18,2; 19,3)В

 

Ответ: Rб =415м

 

Задача №5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона αн=0,02 %/ оС, напряжение стабилизации при 200С – Uст=10В. Определить каким будет его напряжение стабилизации при температуре Т=500С.

Дано:

αн=0,02 %/ оС

Uст1=10В

Т1=200С

Т2=500С

Найти:

Uст2

 

Решение:

Температурный коэффициент напряжения стабилизации:

, где

Выразим из вышеизложенных формул :

В

 

Ответ: =10,1В

 

 

Список использованной литературы

 

1. Жолшараева Т.М. Микроэлектроника. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. ‑ Алматы: АИЭС, 2006. – 79 с.

2. Жолшараева Т.М. Электроника. Методические указания к выполнению расчетно-графических работ. ‑ Алматы: АИЭС, 2008. – 22 с.

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. – 488с.

4. Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: Учебник для вузов. – М.: Высш. Шк., 2005.- 790с.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Защищённые пенициллины получают путем добавления к пенициллинам клавулановой кислоты или сульбактама | Часть В. A1. Характерной чертой индустриального общества является
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 1266; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.016 сек.