Исследование полупроводниковых диодов

И СТАБИЛИТРОНОВ»

Выполнили: студенты группы 220221с

Дынникова А.И.

Волченкова Н.С.

Харламова Ю.С

Чурубров П.А

Проверил преподаватель: Лукашенков А.В.

Тула 2012

Лабораторная работа № 1

«ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ»

Цель и задачи работы: Изучение принципа действия, исследование статических вольтамперных характеристик полупроводникового диода и стабилитрона и их работы в простейших цепях.

1. На установке для исследования полупроводниковых приборов собрать схему рис. 4. Установить ручки управления источниками напряжения в нулевое положение. Установить пределы измерения приборов: Р1 - 20 мА; Р2- 1 В. Включить установку. Снять прямую ветвь ВАХ диода, изменяя прямой ток от О до 20 мА. Полученные данные занести в табл. 1.

Рис. 4. Схема для снятия промой ветви вольтамперной характеристики диода.

Таблица 1

Iдпр		0,5	1,9	8,2
Uдпр		0,1	0,2	0,3	0,3	0,32	0,34	0,341	0,36	0,63

2. Собрать схему рис. 5. Установить ручки управления источниками напряжения в нулевое положение. Установить пределы измерения приборов: РЗ - 100 мкА; Р2 - 20 В. Включить установку. Снять обратную ветвь характеристики диода, изменяя обратное напряжение от О до 20 В. Полученные данные занести в табл. 2.

Рис. 5. Схема для снятия обратной ветви вольтамперной характеристики диода.

Таблица 2

Iд.обр
Uд.обр.		4мА	4мА	4,2 мА	6 мА	6 мА	6 мА	6,3 мА	6,5 мА	8 мА	8 мА

3. Определить дифференциальное сопротивление диода и его сопротивление постоянному току для следующих значений тока через диод: О, 3, 5, 10, 15 мА; построить их зависимость от тока.

Дата добавления: 2015-05-07