Вольт-амперные характеристики транзистора кт819а

Справочные данные для заданного типа транзистора КТ819А

1) Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах.

Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзисторов не более 2,5г.

2) Электрические параметры.

Граничное напряжение при Iк=0,1А, τ<=300мкс, Q>=100, не более 25В,

напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при Iк=5А, Iб=0,5А

-2В, при Iк=15А, Iб=3А – 4*В,

напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=5А, Iб=0,5А не более-3В,

статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iк=5А, не менее при Т=298К, Т=Тк макс – 15,при Т=233К-10;

граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iэ=0,5А – 3-5-12МГц;

время выключения при Iк=5А, Iб=0,5А не более 2,5 мкс;

емкость коллекторного перехода при Uкб=5В – 360-600-1000пФ;

обратный ток коллектора при Uкб=40В не более при Т=233-298К, - 1мА;

3) Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ<=100 Ом, Т=Тмин-323 К – 40В;

Постоянное напряжение база-эмиттер – 5В;

Постоянный ток коллектора – 10А;

Импульсный ток коллектора при τ=<10мс, Q=>100 – 15А;

Постоянный ток базы – 3А;

Импульсный ток базы при τ=<10мс, Q=>100 – 5А;

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т<=298К – 60Вт;

Без теплоотвода при Т<=298К – 1,5Вт;

Температура перехода-398К;

Температура окружающей среды-от 233 до Т=373К.

Входная вольт-амперная характеристика

Выходная вольт-амперная характеристика

Дата добавления: 2015-05-07