Часть 1. Цей розділ містить визначення:

Умови платежу

Цей розділ містить визначення:

· валюти платежу;

· курсу перерахунку валюти ціни у валюту платежу;

· виду, форми та засобу розрахунків за поставлений товар;

· переліку товаророзпорядчих документів;

· заходів проти необгрунтованої затримки платежу або ін­ших порушень.

При виборі умов платежу враховують такі фактори: 1) ха­рак­тер товару (сировина, обладнання, послуги, ноу-хау тощо); 2) кон’юнк­тура ринку відповідного товару (сприятлива чи ні); 3) торгові звичаї (кредит, готівка тощо); 4) наявність міжурядових платіжних угод;
5) норми національного валютного контролю країн-контрагентів;
6) одноманітні правила щодо застосування форм розрахунків (інка­со, акредитив), що склалися у банківській практиці.

Умови платежу встановлюють, на якій стадії руху товару здійснюється його оплата і чи буде вона здійснюватись одноразово чи окремими внесками.

У цьому розділі увага акцентується на фінансових розрахун­ках та забезпеченні зовнішньоекономічних відносин у межах операційної діяльності підприємств, пов’язаних насамперед із зов­ніш­ньою торгівлею (експорт, імпорт), виробничою кооперацією, лі­зингом тощо.

1. Найти контактную разность потенциалов для идеализированного p-n перехода при температуре t, о котором известно, что концентрация донорной примеси N_Д, акцепторной примеси N_A, а концентрация носителей в кристалле, из которого изготовлен p-n переход, равна n_i (см. таблицу вариантов).

	Номер варианта
t, ^оС
NД, ат/см^3	2,5*10^18	3,5*10^18	2,0*10^18	2,5*10^18	1,5*10^18	2,5*10^18	1,8*10^18	1,5*10^18	3,5*10^18	3,8*10^18
NA, ат/см^3	2,0*10^15	1,8*10^15	2,6*10^15	2,0*10^15	2,3*10^15	2,2*10^15	2,0*10^15	2,8*10^15	2,3*10^15	2,6*10^15
ni, ат/см^3	3,5*10^14	5,5*10^14	4,5*10^14	6,5*10^14	4,5*10^14	3,7*10^14	3,3*10^14	2,9*10^14	4,2*10^14	4,5*10^14

Решение:

Для нахождения контактной разности потенциалов воспользуемся следующей формулой:

где - температурный потенциал электрона, Т – термодинамическая температура (T= t + 273), К.

1. Полупроводниковый диод имеет прямой ток I при U_ПР и температуре t. Определить: обратный ток диода и дифференциальное сопротивление.

	Номер варианта
t, ^оС
Iпр, А	0,8	1,2	1,3	0,5	0,8	1,1	1,4	2,0	1,8	1,8
Uпр, В	0,3	0,2	0,5	0,4	0,6	0,8	1,1	1,3	0,7	1,0

Решение:

Обратный ток диода найдем, воспользовавшись выражением:

,

где – температурный потенциал электрона (см. задачу №1).

Дифференциальное сопротивление определяем по формуле:

1. По известным h-параметрам биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой (ОБ), рассчитать его дифференциальные параметры. Температурный потенциал принять равным 0,025мВ

	Номер варианта
h11Б, Ом
h21Б	0,97	0,98	0,97	0,96	0,97	0,96	0,97	0,98	0,95	0,97
h22Б, мкСм	1,0	0,9	0,8	1,0	1,1	1,2	1,1	1,3	1,0	1,1
IЭ, мА	1,0	1,2	1,3	1,0	1,1	1,2	1,3	1,0	1,1	1,2

Решение:

Связь между h-параметрами и дифференциальными параметрами определяются следующими соотношениями:

По току эмиттера находим сопротивление эмиттера:

Находим сопротивление базы:

Дифференциальное сопротивление коллектора есть величина обратная проводимости со стороны коллектора:

Находим недостающий параметр:

1. По имеющимся данным определить коэффициент передачи тока базы , ток эмиттера I_Э и сопротивление эмиттера r_Э.

	Номер варианта
IК, мА	1,0	1,2	1,3	1,0	1,1	1,2	1,3	1,0	1,1	1,3
IБ, мкА

Решение:

Коэффициент передачи тока базы определяем как отношение тока коллектора к току базы

Определяем ток эмиттера

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяем как функцию прямого тока через этот переход:

где – температурный потенциал принять равным 0,025мВ

1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет нижеприведенные характеристики. Определить ток стока и крутизну характеристики при заданных значениях напряжения затвора.

	Номер варианта
IС MAX, мА	7,0	6,5	5,0	5,5	6,0	5,5	5,0	7,5	8,0	6,5
UОТС, В	-7	-6	-5	-4	-5	-6	-7	-4	-6	-7
UЗИ, В	-4	-2,5	-3	-1,5	-2,5	-4	-5,5	-2	-2,5	-5

Решение:

Ток стока определим из соотношения:

Определяем крутизну характеристики:

Дата добавления: 2015-05-07