Исследование полупроводниковых диодов

Спасибо большое за Вашу помощь!

Цель работы – ознакомиться с основными параметрами диодов и снять их вольтамперные характеристики.

Пояснения. Наиболее широкое распространение получили в промыш-ленности полупроводниковые вентили – германиевые и кремниевые диоды.

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода (рис.1) имеет две ветви: прямую, расположенную в первом квадранте и соответствующую проводящему направлению диода, и обратную, расположенную в третьем квадранте т соответствующую непроводящему направлению.

Характеристики германиевого и кремниевого диодов показаны на рис.2, а и б. Прямая ветвь характеризуется допустимым средним значением прямого тока I пр.доп, который лимитируется допустимым нагревом перехода, и максимальным прямым падением напряжения U пр.макс, соответствующим максимальному значению среднего тока. Обратная ветвь характеризуется допустимым обратным напряжением U обр.доп, которое выбирается меньше пробивного напряжения U проб с необходимым запасом, и максимальным обратным током I обр.макс, соответствующим U доп и определенным при 20⁰С.

Иногда оказывается удобным характеризовать свойства диода при прямом и обратном включении значениями сопротивлений по постоян-ному и переменному току. Сопротивление по постоянному току опреде-ляется как отношение напряжения к току в данной точке вольтампер-ной характеристике (рис.2,а)

Ro = Uo/I0.

при заданном значении Iо или Uо.

Рис.1. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода:

1-прямая ветвь; 2- обратная ветвь.

Дата добавления: 2015-05-09